SKM75GAL125D 是一款由富士电机(Fuji Electric)生产的IGBT模块,专为高功率应用设计。该模块集成了多个IGBT芯片和反并联二极管,适用于工业电机驱动、变频器和逆变器等场合。
最大集电极-发射极电压(Vce):1200V
最大集电极电流(Ic):75A
导通压降(Vce_sat):约2.5V(典型值)
工作温度范围:-40°C至+150°C
绝缘耐压等级:2500V AC/分钟
封装类型:双列直插式封装(DIP)
SKM75GAL125D具备低饱和压降特性,有助于降低功率损耗,提高系统效率。其优化的芯片布局和封装设计有效降低了模块内部的热阻,提升了散热性能。此外,该模块具备良好的短路耐受能力,能够在高负载条件下保持稳定运行。模块内部集成的反并联二极管具有快速恢复特性,适合高频开关应用。其高绝缘等级确保了模块在恶劣环境下的安全运行。
该模块广泛应用于工业自动化设备中的变频器、电机驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备等高功率电力电子系统中。
SKM75GBL12T4、SKM75GBL125D、STY75GAL125D