SA51CAHR0G是一款由ONSEMI(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管系列。该器件适用于多种通用和高频应用,具备良好的电流放大性能和较高的工作频率响应,广泛用于信号放大、开关控制和功率调节等电子电路设计中。SA51CAHR0G采用了先进的制造工艺,确保了其在不同工作条件下的稳定性和可靠性,特别适用于对高频性能有一定要求的电路场景。
晶体管类型:NPN
最大集电极电流(Ic):100 mA
最大集电极-发射极电压(Vce):50 V
最大集电极-基极电压(Vcb):30 V
最大功耗(Pd):300 mW
电流增益(hFE):110 - 800(根据档位不同)
过渡频率(fT):250 MHz
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:SOT-23
SA51CAHR0G晶体管具有多项优异的电气和机械特性,使其在通用和高频应用中表现出色。首先,其高过渡频率(fT)达到250 MHz,表明该器件能够在较高的频率下保持良好的电流放大能力,适合用于射频(RF)和高速开关电路。其次,SA51CAHR0G的电流增益(hFE)范围较宽,从110到800不等,用户可根据具体需求选择不同档位的产品,提高了设计的灵活性。
该晶体管的最大集电极电流为100 mA,能够满足中等功率应用的需求,同时其最大集电极-发射极电压为50 V,使得该器件具备一定的耐压能力,适用于多种电源和信号处理电路。此外,SA51CAHR0G采用了SOT-23小型封装,体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用,同时具备良好的热稳定性和机械强度。
该器件的工作温度范围为-55°C至150°C,能够在极端环境条件下稳定工作,适用于工业控制、消费电子、通信设备以及汽车电子等多个领域。其最大功耗为300 mW,确保在连续工作状态下仍能维持较低的温升,从而提升整体系统的可靠性和寿命。
SA51CAHR0G晶体管由于其高频性能和良好的电流放大能力,被广泛应用于多个电子领域。在通信设备中,该晶体管可用于射频信号放大、调制解调和混频电路,确保信号的高效处理和传输。在消费类电子产品中,如音频放大器、遥控器和传感器接口电路中,SA51CAHR0G能够提供稳定的工作性能和较低的功耗。
此外,该晶体管在工业控制系统中常用于驱动继电器、LED显示屏、小型电机和其他负载设备,其较高的电流增益和稳定的工作特性使其成为理想的开关元件。在汽车电子领域,SA51CAHR0G可用于车灯控制、车载音响系统以及传感器信号调理电路,适应复杂的车载环境。
由于其宽温度范围和可靠性,SA51CAHR0G也适用于户外设备、智能仪表、电源管理模块以及各种便携式电子设备中。无论是在模拟电路还是数字电路中,该晶体管都能发挥出色的性能,满足多样化的设计需求。
BC847系列、2N3904、MMBT3904、2N4401、S9014