类型：PNP型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极电压（VCBO）：40V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：SOT-323（DBU）

S8550DBU晶体管的主要特性之一是其良好的放大性能，适用于低频放大电路中的信号处理。其PNP结构设计使得在正向偏置时能够实现高效的电流控制。此外，该晶体管的功耗较低，在300mW以内，能够适应多种电子设备的工作需求。
　　该型号晶体管的另一个显著特性是其封装形式采用了SOT-323封装，这是一种小型化封装技术，适合高密度电路板布局，同时具备较好的散热性能。SOT-323封装的使用也有助于提升自动化装配的效率。
　　S8550DBU的电压耐受能力较高，集电极-发射极电压（VCEO）可达30V，集电极-基极电压（VCBO）可达40V，这使得它在多种电子应用中具有较强的适应性。此外，该晶体管的发射极-基极电压（VEBO）为5V，进一步保证了其在常规电路中的稳定性。
　　从工作温度范围来看，S8550DBU能够在-55°C至150°C的极端环境下正常运行，这使其在工业级和汽车电子应用中具有较高的可靠性。

S8550DBU晶体管通常用于低频功率放大器中，例如音频放大电路或信号处理模块。由于其PNP结构和较低的功耗，它也常用于开关电路中，例如驱动LED、继电器或者小型马达。此外，S8550DBU还被广泛应用于各种电子控制系统，如传感器接口电路、逻辑电平转换器以及电源管理模块。
　　在工业自动化和消费类电子产品中，S8550DBU常作为通用晶体管使用，用于构建简单的放大或开关功能模块。它还适合在电池供电设备中使用，因为其较低的功耗有助于延长设备的续航时间。

BC850, 2N3906, BC807