容量：128MB
　　电压范围：2.7V至3.6V
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　接口：8位NAND闪存接口
　　温度范围：-40°C至+85°C
　　读取速度：最大约50MB/s
　　写入速度：最大约20MB/s
　　擦除时间：块擦除时间典型值为2ms
　　块数量：32块
　　页面大小：512字节 + 16字节备用区
　　块大小：16KB（数据区）+ 512字节（备用区）

HY27US08121M-TPIB 是一款基于NAND闪存技术的非易失性存储芯片，具有较高的读写速度和耐用性。该芯片支持页编程和块擦除操作，适用于需要频繁更新和存储数据的应用场景。
　　其主要特性包括：
　　1. **高容量与小封装**：虽然容量为128MB，在当时的NAND闪存市场中属于中等容量，但其TSOP封装形式使其适合嵌入到各种紧凑型设备中，如手持设备、便携式存储器等。
　　2. **宽电压操作**：该芯片支持2.7V至3.6V的工作电压范围，使其适用于多种电源管理系统，并提高了其在不同应用环境下的适应性。
　　3. **高速数据传输**：通过优化的NAND接口，HY27US08121M-TPIB 实现了较快的读写速度，适用于需要快速访问数据的嵌入式系统。
　　4. **内置错误检测与纠正功能**：虽然没有内置ECC（错误校正码）引擎，但其备用区域可用于存储ECC信息，从而提高数据的可靠性。
　　5. **长寿命与高可靠性**：该芯片支持高达10万次的编程/擦除周期，适用于需要频繁写入和擦除的应用场景，如日志记录、缓存存储等。
　　6. **多种操作模式**：支持多种命令序列和操作模式，包括页读取、页写入、块擦除等，提供了灵活的控制选项。
　　7. **低功耗设计**：在待机模式下功耗极低，有助于延长电池供电设备的续航时间。

HY27US08121M-TPIB 主要用于需要非易失性存储的嵌入式系统，如工业控制器、智能卡终端、数据采集设备、便携式医疗仪器、GPS导航设备、消费类电子产品（如MP3播放器、数码相机）等。其高可靠性和宽工作温度范围使其非常适合在恶劣工业环境中使用。

HY27US08221M-TPIB, K9F1208U0B-PCB0, MT29F1G08ABBEAH4