晶体管类型：NPN BJT
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极电压（VCBO）：40V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：150mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　电流增益（hFE）：110 - 800（根据等级不同）
　　过渡频率（fT）：100MHz（典型值）

S8050D3 FE 具有良好的高频响应特性，能够在高达 100MHz 的频率下工作，适合用于射频信号放大或高速开关应用。
　　其 hFE（电流增益）范围较宽，根据不同的分级（例如 O档、Y档、GR档、BL档等），可提供从 110 到 800 的不同增益水平，适用于多种电路设计需求。
　　该晶体管的封装设计紧凑，便于在小型 PCB 板上安装，同时具备良好的散热性能，确保在长时间运行中的稳定性。
　　S8050D3 FE 还具备较低的饱和压降（VCE(sat)），在开关应用中能够有效降低功耗，提高系统效率。
　　由于其广泛的应用范围和稳定的性能，S8050D3 FE 成为许多电子设计中常用的晶体管型号之一。

S8050D3 FE 常用于各种电子电路中，例如音频放大器、信号放大电路、开关电路、逻辑电平转换电路、继电器驱动电路、LED 驱动电路等。
　　在消费类电子产品中，如收音机、电视机、音响设备、遥控器、玩具等，S8050D3 FE 被广泛用于信号放大和控制功能。
　　在工业自动化控制领域，该晶体管可用于传感器信号处理、继电器控制和小型电机驱动等应用。
　　此外，S8050D3 FE 也适用于数字电路中的晶体管-晶体管逻辑（TTL）接口设计，以及作为达林顿对管的前置放大级使用。

2N3904, BC547, 2SC1815, 2SC2235, 2SC3198