时间：2025/5/24 11:49:27
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AFGY120T65SPD-B4是一款高性能的碳化硅(SiC) MOSFET功率模块，专为工业应用中的高频开关和高效能转换场景设计。该模块采用先进的封装技术，能够显著降低开关损耗并提高系统效率。
其内部集成了两个反并联的SiC MOSFET管芯，适合三相逆变器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器等高电压、大电流的应用环境。
额定电压：6500V
额定电流：120A
Rds(on)：3.5mΩ
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：Direct Bond Copper (DBC) 基板
栅极电荷(Qg)：80nC
输入电容(Ciss)：1800pF
反向恢复时间(trr)：<45ns
AFGY120T65SPD-B4具备出色的开关性能，能够在高频工作条件下保持较低的导通和开关损耗。
它采用了碳化硅材料，因此具有更高的热稳定性和更快的开关速度。
同时，模块内置了热敏电阻以实现过温保护，并且提供了低感抗的设计，可以有效抑制电压尖峰和电磁干扰。
此外，它的DBC基板技术使得散热性能更佳，延长了器件的使用寿命。
该芯片主要应用于工业级功率变换设备中，例如高电压电机驱动器、光伏逆变器、风力发电变流器以及电动汽车(EV)充电站。
在这些领域，AFGY120T65SPD-B4凭借其高效的能量转换能力和强大的耐用性，成为工程师们优先选择的功率解决方案之一。
AFGY150T65SPD-B4
AFGY120T65WPD-B4
