晶体管类型：NPN型双极性晶体管
　　封装类型：TO-92（或其他类似封装）
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：150mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　直流电流增益（hFE）：110 ~ 800（根据不同的档位）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

S8050C/D晶体管具有优异的增益特性，其hFE（直流电流增益）范围宽广，根据不同的型号（如S8050C、S8050D等），hFE值可从110到800不等，使得它在放大电路设计中具有很高的灵活性。
　　此外，该晶体管的过渡频率（fT）为100MHz，表明其在高频应用中也具有良好的响应能力，适用于中频放大器和射频开关电路。
　　该器件的集电极-发射极电压（VCEO）为30V，集电极最大电流为150mA，适用于低功率开关和放大应用，如音频放大器、驱动电路以及数字逻辑电路中的接口元件。
　　其最大功耗为300mW，在TO-92封装下具备良好的散热性能，适合在紧凑型电路设计中使用。
　　S8050C/D的工作温度范围为-55°C至+150°C，表明其在恶劣环境条件下也能保持稳定运行，适用于工业和消费类电子设备。

S8050C/D晶体管广泛应用于各类电子电路中，包括低频放大器、音频放大电路、数字开关电路、LED驱动电路、继电器驱动电路、电源管理模块以及各类传感器接口电路。
　　在音频放大应用中，S8050C/D可以作为前置放大器或推动级放大器使用，提供良好的信号增益和线性度。
　　在数字电路中，该晶体管常用于晶体管-晶体管逻辑（TTL）电路中的开关元件，用于控制LED、小型继电器或其他负载。
　　由于其较高的频率响应特性，S8050C/D也可用于射频（RF）小信号放大或混频电路中。
　　此外，它在消费电子产品如遥控器、玩具、电子钟表、收音机和小型电源适配器中也常被使用。

2N3904, BC547, 2SC1815, 2N2222, PN2222