晶体管类型：NPN型
　　最大集电极电流（IC）：150 mA
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30 V
　　最大基极-发射极电压（VEBO）：5 V
　　最大耗散功率（PD）：300 mW
　　电流增益（hFE）：110-800（根据不同等级）
　　工作温度范围：-55°C至150°C

S8050-B晶体管具有多种特性，使其在电子电路设计中非常受欢迎。首先，它的电流增益（hFE）范围较广，从110到800不等，这使得该晶体管可以适应不同的放大需求。其次，S8050-B的最大集电极电流为150 mA，能够支持中等功率的开关应用。此外，该晶体管的最大集电极-发射极电压为30 V，使其能够在较高的电压环境下稳定工作。S8050-B的低饱和压降特性有助于减少功耗，提高电路效率。其最大耗散功率为300 mW，能够在不使用散热片的情况下处理一定的功率需求。晶体管的工作温度范围为-55°C至150°C，适用于广泛的工业和消费类应用。最后，S8050-B采用TO-92封装，体积小巧，便于在各种电路板上安装和使用。
　　这种晶体管的基极-发射极电压最大为5 V，设计时需要注意控制基极驱动电压，以避免损坏晶体管。由于其优异的性能和广泛的工作条件，S8050-B在电子工程中被广泛采用。

S8050-B晶体管广泛应用于各种电子电路中。最常见的应用之一是作为低功率放大器，例如在音频放大电路中用于增强信号强度。此外，S8050-B也常用于开关电路，如控制LED、继电器或小型电机的开启和关闭。它还可以用于电源管理电路，如电压调节器中的开关元件。在信号处理电路中，S8050-B可用于信号的放大和调节。由于其良好的性能和广泛的工作条件，该晶体管也被应用于消费类电子产品、工业设备和汽车电子系统中。

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　　 "2N3904",
　　 "BC547",
　　 "PN2222"
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