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S8010V 发布时间 时间:2025/12/26 22:34:48 查看 阅读:22

S8010V是一款常用于电源管理领域的集成电路,主要应用于小功率AC-DC转换场景。该芯片集成了高压启动电路、PWM控制器以及多种保护功能,适用于充电器、适配器、智能家居控制模块等低功耗电子产品中。S8010V采用固定频率的电流模式控制方式,具有外围元件少、成本低、效率较高等优点,广泛应用于非隔离型电源拓扑结构中,如反激式(Flyback)或降压型(Buck)电路。该芯片内置了高压MOSFET,能够在宽输入电压范围内稳定工作,适合全球通用的交流输入电压(85V~265V AC)。此外,S8010V具备完善的保护机制,包括过载保护(OLP)、过压保护(OVP)、过温保护(OTP)和前沿消隐功能,提升了系统的可靠性与安全性。其封装形式通常为SOP-8或DIP-8,便于手工焊接与自动化生产。由于其高集成度和良好的动态响应性能,S8010V在消费类电子产品的电源设计中具有较高的性价比优势。

参数

工作电压:8V ~ 20V
  启动电流:<5μA
  工作频率:约65kHz
  占空比范围:0% ~ 80%
  最大输出功率:约12W
  反馈控制方式:电流模式PWM
  内置MOSFET耐压:650V
  封装类型:SOP-8 / DIP-8
  工作温度范围:-40°C ~ +125°C
  保护功能:过压保护、过流保护、过温保护、前沿消隐

特性

S8010V采用先进的BiCMOS工艺制造,具备极低的启动电流和待机功耗,使其在轻载和空载条件下仍能保持高能效,符合现代电子产品对节能环保的要求。芯片内部集成了高压启动模块,无需外部启动电阻即可实现快速上电,有效缩短了系统启动时间并减少了外围元件数量。其电流模式控制架构提供了良好的瞬态响应能力和线性调整率,能够迅速应对负载变化,确保输出电压的稳定性。
  该芯片内置的650V高压MOSFET可承受较高的电压应力,在雷击浪涌和电网波动环境下表现出较强的抗干扰能力。同时,芯片具备自动重启功能,在发生故障时可自动尝试恢复,提高了系统的自恢复能力。S8010V还支持频率抖动技术(Frequency Jittering),有助于降低电磁干扰(EMI),简化EMI滤波电路的设计,满足相关安规认证要求。
  在保护机制方面,S8010V集成了多重安全防护措施。过温保护通过内部温度传感器实时监测芯片结温,当温度超过设定阈值时自动关闭输出;过压保护则防止因反馈回路失效导致的输出电压失控;前沿消隐电路可有效抑制开关管导通瞬间产生的电流尖峰误触发,避免误保护动作。这些特性共同保障了电源系统在各种异常工况下的安全运行。

应用

S8010V广泛应用于小功率开关电源系统中,典型应用场景包括手机充电器、LED驱动电源、智能插座、无线路由器电源模块、家电控制板供电、电子门铃、监控摄像头电源等。由于其高集成度和良好的稳定性,特别适用于空间受限且对成本敏感的消费类电子产品。

替代型号

OB2263, LD7575, TNY278, PN8024

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S8010V参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭SCR - 单个
  • 系列-
  • SCR 型标准恢复型
  • 电压 - 断路800V
  • 电压 - 栅极触发器 (Vgt)(最大)1.5V
  • 电压 - 导通状态 (Vtm)(最大)1.6V
  • 电流 - 导通状态 (It (AV))(最大)6.4A
  • 电流 - 导通状态 (It (RMS))(最大)10A
  • 电流 - 栅极触发电流 (Igt)(最大)15mA
  • 电流 - 维持(Ih)30mA
  • 电流 - 断开状态(最大)10µA
  • 电流 - 非重复电涌,50、60Hz (Itsm)83A,100A
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
  • 供应商设备封装TO-251(V-Pak/I-Pak)
  • 包装散装