MCC56-18I01B 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology)生产的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,适用于高功率应用。该模块设计用于需要高效能和高可靠性的工业设备,如电机驱动、逆变器和电源系统。
类型:IGBT模块
额定集电极-发射极电压(Vce):1800V
额定集电极电流(Ic):56A
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
封装类型:模块
短路耐受能力:有
隔离电压:2500V
MCC56-18I01B IGBT模块具有多种显著特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其额定集电极-发射极电压为1800V,能够承受较高的电压应力,适用于高压电力电子系统。额定集电极电流为56A,能够处理较大的电流负载,满足高功率密度的需求。此外,该模块具有良好的短路耐受能力,能够在短路情况下提供一定程度的保护,从而提高系统的可靠性和稳定性。MCC56-18I01B采用了先进的封装技术,确保了模块在高功率运行时的热管理和电气性能。模块的工作温度范围广泛,从-40°C到+150°C,适应各种工业环境条件。同时,其2500V的隔离电压提供了优良的电气隔离性能,确保操作人员和设备的安全。MCC56-18I01B的高可靠性使其成为工业电机驱动、逆变器和电源系统中的理想选择。
MCC56-18I01B IGBT模块广泛应用于需要高功率和高可靠性的场合。其主要应用包括工业电机驱动、变频器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器和电动汽车充电设备。在这些应用中,MCC56-18I01B能够提供高效的功率转换和稳定的性能。
MCC56-18I01B-A, SKM56GB180D, FF56MR180A