时间：2025/8/7 6:32:20
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S43LC0403 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适合在电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：180A（在Tc=25°C时）
功耗（Ptot）：250W
导通电阻（Rds(on)）：3.4mΩ（最大值，Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6 HV
S43LC0403 的核心特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。其3.4mΩ的最大Rds(on)在Vgs=10V条件下表现优异，适用于高电流应用场景。
该MOSFET采用PowerFLAT 5x6 HV封装，具有优良的热管理性能，能够有效散热，从而提高器件在高功率工作条件下的稳定性和可靠性。
此外，S43LC0403具有高电流承载能力和250W的最大功耗能力，使其能够在高负载条件下运行而不易过热或损坏。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的Vgs，这提高了其在不同驱动电路中的适应性。
在热性能方面，S43LC0403的工作温度范围为-55°C至175°C，能够在极端环境条件下保持稳定的性能。这种宽温度范围也使其适用于工业和汽车电子等对环境适应性要求较高的应用领域。
S43LC0403 广泛应用于多种功率电子系统中。其主要用途包括DC-DC转换器，特别是在高电流输出需求的电源模块中，如服务器电源、电信设备和工业自动化设备。由于其高效率和低导通电阻，它也非常适合用于电池管理系统和电动车辆中的功率控制电路。
此外，该MOSFET可用于电机控制和负载开关设计，提供快速的开关性能和低损耗。在汽车电子中，S43LC0403可以用于车身控制模块、电动助力转向系统（EPS）以及车载充电器等应用。
在电源管理方面，该器件适用于同步整流电路、电源分配系统和高效率电源适配器的设计。其优异的热性能和高可靠性使其成为高性能电源设计的理想选择。
STL180N4F7AG, IPP180N10N3G, S43LC0404
