BUW11W 时间：2025/12/27 21:59:03 阅读：24

BUW11W是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及照明镇流器等高效率功率转换场合。该器件采用先进的SG3技术，具有低导通电阻和优异的开关特性，能够在高温环境下稳定运行。其封装形式为TO-220或TO-247，具备良好的热传导性能，适用于需要高功率密度和高可靠性的应用环境。BUW11W的设计注重能效与可靠性，特别适合用于工业控制、消费电子和汽车电子中的功率管理模块。
　　该MOSFET的最大漏源电压（V_DS）通常为500V，连续漏极电流可达9A左右，具体数值需参考官方数据手册。它在高频开关条件下表现出较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），有助于减少开关损耗，提高系统整体效率。此外，BUW11W还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，增强了在异常工况下的鲁棒性。由于其优良的电气特性和坚固的结构设计，BUW11W成为许多中高功率应用中的首选器件之一。

参数

型号：BUW11W
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（V_DS）：500 V
　　最大漏极电流（I_D）：9 A
　　最大脉冲漏极电流（I_DM）：36 A
　　最大栅源电压（V_GS）：±30 V
　　导通电阻（R_DS(on)）：0.85 Ω @ V_GS = 10 V
　　阈值电压（V_GS(th)）：3.0 ~ 5.0 V
　　栅极电荷（Qg）：47 nC @ V_GS = 10 V
　　输入电容（Ciss）：1100 pF @ V_DS = 25 V
　　输出电容（Coss）：160 pF @ V_DS = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：55 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 ~ +150 °C
　　封装类型：TO-220

特性

BUW11W采用了Infineon先进的超级结（Superjunction）SG3技术，这一技术通过优化硅片内部的电荷平衡结构，在保持高击穿电压的同时显著降低了导通电阻R_DS(on)，从而提升了器件的整体能效。这种设计使得BUW11W在500V耐压等级下仍具备较低的导通损耗，非常适合用于追求高效率的开关电源拓扑如LLC谐振变换器、PFC升压电路以及硬开关SMPS系统中。其低Qg特性减少了驱动电路所需的能量，降低了驱动损耗，并允许更高的开关频率操作，有助于减小磁性元件体积，提升功率密度。
　　该器件具备出色的热稳定性与长期可靠性，经过严格的老化测试和质量控制流程，确保在恶劣工作条件下依然能够稳定运行。其TO-220封装不仅便于安装于散热片上，而且具有较高的机械强度和良好的绝缘性能（部分变体带绝缘底板）。此外，BUW11W拥有较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压事件中承受一定的能量冲击而不损坏，提高了系统的安全裕度。对于突发的负载变化或短路故障，其较优的短路耐受时间也增强了系统保护能力。
　　在EMI性能方面，BUW11W通过优化内部结构降低了寄生参数，减少了高频噪声的产生，有助于满足电磁兼容性要求。同时，其一致的器件参数分布有利于批量生产时的一致性控制，减少调试时间和成本。总体而言，BUW11W是一款兼顾高性能、高可靠性和易用性的中高端功率MOSFET，适用于对效率和稳定性有较高要求的应用场景。

应用

BUW11W广泛应用于各类中高功率电力电子设备中，尤其适用于需要高效能和高可靠性的开关模式电源（SMPS）系统。常见应用场景包括工业级AC-DC电源适配器、服务器电源单元、电信整流器以及UPS不间断电源系统。在这些系统中，BUW11W常被用作主开关管或PFC（功率因数校正）升压开关，利用其低导通电阻和快速开关特性来降低能量损耗并提升转换效率。
　　此外，该器件也适用于DC-DC转换器拓扑，如半桥、全桥和推挽式架构，特别是在高压输入环境下表现优异。在照明领域，BUW11W可用于电子镇流器或高强度气体放电灯（HID）驱动电路，提供稳定的高频开关性能。在电机驱动应用中，尤其是中小功率的通用电机控制模块，BUW11W可作为逆变桥臂的一部分，实现精确的PWM调速控制。
　　由于其良好的热性能和抗干扰能力，BUW11W也被用于新能源相关设备，例如太阳能微逆变器或储能系统的辅助电源模块。在汽车电子中，虽然不直接用于车载主驱系统，但可用于车载充电机（OBC）或DC-DC转换模块中的次级功率处理单元。总之，凡是需要在500V电压等级下实现高效、稳定开关操作的场合，BUW11W都是一种值得信赖的选择。