S4360 时间：2025/7/25 7:53:06 阅读：8

S4360是一款由Microsemi（现为Microchip子公司）推出的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效能的电源管理和功率转换应用，具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，适用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电池管理系统以及工业控制电路等场景。S4360采用TO-220封装，具备良好的热管理和电气性能，是工业级应用中常用的功率器件之一。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：5A
　　最大漏-源电压（VDS）：200V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.85Ω @ VGS=10V
　　栅极电荷（Qg）：18nC
　　功率耗散（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

S4360功率MOSFET具有多项优异的电气和物理特性，确保其在多种电源应用中的稳定性和可靠性。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）为0.85Ω，在VGS=10V条件下可显著降低导通损耗，提高电源转换效率。这对于要求高效率的DC-DC转换器和开关电源尤为重要。
　　其次，S4360的最大漏-源电压为200V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压功率转换系统。同时，最大漏极电流为5A，满足大多数中等功率应用的需求。
　　该器件的栅极电荷（Qg）为18nC，属于中等水平，能够在保证较快开关速度的同时，避免因过高的开关速度引起的电磁干扰（EMI）问题，适合高频开关应用。
　　此外，S4360采用TO-220封装，具备良好的散热性能，能够有效将工作过程中产生的热量传导至散热片或PCB上，从而延长器件的使用寿命。其最大功率耗散为40W，支持在较高负载条件下稳定运行。
　　最后，S4360的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应各种严苛的工业环境，具备良好的热稳定性与抗热冲击能力。

应用

S4360广泛应用于多种电源管理和功率控制电路中。常见应用包括：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、电池管理系统、负载开关、工业自动化控制设备以及LED照明驱动电源等。
　　在开关电源中，S4360可用于主开关管或同步整流器，提高电源效率并减小系统尺寸；在DC-DC转换器中，其低导通电阻有助于降低功率损耗，提升整体能效；在电机驱动系统中，S4360可用于H桥结构中的高边或低边开关，实现对电机的精确控制；在电池管理系统中，该器件可用于充放电控制开关，保障电池的安全运行；此外，在工业控制设备中，S4360也常用于继电器替代、电源切换等功能模块中，提升系统的可靠性和响应速度。