时间：2025/9/13 9:55:04
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S423-0060H02是一种高压MOSFET晶体管，广泛用于功率电子设备中。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于各种高效率功率转换应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：60A
最大漏极-源极电压：200V
导通电阻：60mΩ
最大工作温度：150°C
封装形式：TO-247
S423-0060H02具有出色的热稳定性和耐用性，能够在高电压和高电流环境下可靠工作。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高系统效率。此外，该器件的快速开关能力可降低开关损耗，适用于高频开关应用。
该MOSFET还具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在极端条件下保持稳定运行。其封装设计优化了散热性能，确保长时间运行的稳定性与可靠性。S423-0060H02适用于各种恶劣工作环境，包括高温和高湿度条件。
S423-0060H02常用于电源转换器、电机驱动器、UPS系统、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备等功率电子系统中。
IXFH60N200P, FF600R20KE3
