类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：40V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：180A（@25°C）
　　功耗(Pd)：250W
　　导通电阻(Rds_on)：8mΩ（@Vgs=10V）
　　封装类型：TO-263（表面贴装）

S408T具备低导通电阻的特性，这使得在高电流应用中能够有效降低功率损耗，提高系统效率。其RDS(on)值仅为8mΩ，在VGS为10V时可确保较低的导通压降。
　　此外，S408T采用了先进的沟槽栅技术，使其在开关过程中具有优异的稳定性和快速响应能力，从而减少了开关损耗并提升了整体性能。
　　该器件的封装形式为TO-263，是一种表面贴装封装，具有良好的散热能力，适用于需要高功率密度和紧凑布局的设计场景。
　　由于其高耐压能力和高电流容量，S408T能够在严苛的环境下稳定运行，适用于工业级和汽车电子领域。同时，其栅极驱动电压范围较宽，可在+10V至+20V之间正常工作，便于与不同类型的驱动电路匹配使用。
　　该MOSFET还具备良好的雪崩能量承受能力，可以在瞬态过电压情况下提供额外的可靠性保障。

S408T常用于多种功率电子系统中，包括但不限于：
　　1. 开关电源（SMPS）：如AC-DC电源模块和DC-DC转换器，适用于服务器、通信设备和工业控制电源系统。
　　2. 电机驱动电路：包括直流无刷电机、步进电机驱动器以及电动车控制器等应用。
　　3. 电池管理系统（BMS）：用于新能源汽车、储能系统和便携式高功率设备中的电池充放电管理。
　　4. 负载开关：作为高电流负载的开关控制元件，例如LED照明系统、工业加热器和高功率风扇控制。
　　5. 逆变器和UPS系统：用于不间断电源和太阳能逆变器中，作为主功率开关元件。
　　凭借其优异的性能和可靠性，S408T也广泛应用于汽车电子系统中，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）等。

IRF1404, IPB085N04N, FDP7030BL, NTD70N04R