时间：2025/7/16 15:29:55
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S4004VS2是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率电子领域。该器件以高击穿电压、低导通电阻和快速开关特性著称，适合用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用中。
其封装形式通常为TO-220或TO-252，能够承受较高的电流和电压，同时具备良好的散热性能。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：1.7A
栅极阈值电压：2V~4V
导通电阻：3.8Ω（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：25W
工作结温范围：-55℃~+150℃
S4004VS2具有以下主要特性：
1. 高击穿电压：支持高达600V的漏源电压，适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻：在额定条件下，导通电阻仅为3.8Ω，有效降低功率损耗。
3. 快速开关能力：具备较低的输入电容和输出电容，有助于实现高效的开关操作。
4. 热稳定性强：能够在较宽的温度范围内可靠运行，适应各种恶劣环境。
5. 封装坚固：采用标准工业封装形式，便于安装与散热。
S4004VS2的应用领域非常广泛，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）：
作为主开关管使用，适用于离线式AC-DC转换器。
2. 电机驱动：
用于小功率直流电机控制，提供高效的开关和保护功能。
3. DC-DC转换器：
在降压或升压电路中充当功率开关。
4. 电池保护：
防止过充或过放，确保电池安全。
5. 负载开关：
实现对负载的精确控制，减少系统能耗。
IRFZ44N
STP16NF06L
FQP17N06
