时间：2025/7/17 18:36:50
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MRFE6VP5600HSR6 是一款由 NXP（恩智浦）半导体公司推出的高功率射频（RF）MOSFET 晶体管，专为高频、高功率应用设计。该器件适用于广播、工业加热、医疗设备以及通信基础设施等需要高效率和高可靠性的领域。
类型：射频MOSFET
晶体管数量：1
漏极电流（ID）：连续工作模式下最大可达50A
漏源电压（VDS）：最大650V
栅源电压（VGS）：±30V
工作频率范围：1MHz - 6GHz
封装类型：Hittite表面贴装（Hittite Surface Mount, HSM）
输出功率（CW模式）：在225MHz下可达600W
增益：约26dB
效率：典型值为75%
热阻（Rth）：结到壳热阻约为0.28°C/W
MRFE6VP5600HSR6 具备卓越的高频性能和强大的功率处理能力，其采用先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术，提供高线性度和效率。此外，该器件的宽频率响应范围使其适用于多种射频应用，包括宽带放大器和窄带放大器。在热管理方面，该晶体管具有较低的热阻，确保在高功率运行时的稳定性和可靠性。MRFE6VP5600HSR6 还具备良好的抗失真性能，适合在需要高信号完整性的系统中使用。其高增益特性可以减少外部电路对额外放大级的需求，从而简化整体设计并降低成本。此外，该器件在极端工作条件下表现出色，例如在高电压和高温度环境下仍能维持稳定性能。
MRFE6VP5600HSR6 常用于广播发射机（如FM和TV广播）、工业和医疗射频能量应用（如感应加热和射频消融）、无线基础设施（如基站放大器）、宽带和窄带放大器系统，以及测试和测量设备。其高功率和高频率特性也使其成为军用和航空航天领域中射频系统的理想选择。
MRFE6VP5600H, MRFE6VP5600HSR1G, MRFE6VP5600HR6
