类型：SDRAM
　　容量：4MB
　　组织结构：512K x 8
　　电压：3.3V
　　访问时间：5.4ns（最大）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装：TSOP
　　引脚数：54

S3SMBM 以其高性能和稳定性著称，适用于需要高速数据处理的系统。其 5.4ns 的访问时间确保了快速的数据读写操作，适合用于图像处理、实时控制等对时间敏感的应用。
　　该芯片的 3.3V 电源设计使其在功耗和性能之间达到了良好的平衡，同时支持宽温度范围的工作环境（-40°C 至 +85°C），使其能够适应工业级应用的需求。
　　封装形式为 TSOP（薄型小外形封装），具有较小的体积和良好的散热性能，适合在空间受限的设计中使用。TSOP 封装还提供了较高的可靠性和抗干扰能力，保证了在复杂电磁环境中的稳定运行。
　　此外，S3SMBM 还具备较低的待机电流，有助于延长设备的电池寿命，特别适用于需要长时间运行的便携式设备和嵌入式系统。其 4MB 的容量和 512K x 8 的组织结构使其能够满足中等规模数据存储的需求，同时保持较高的存取效率。
　　在数据完整性方面，S3SMBM 采用了先进的制造工艺，确保数据在长时间运行中的稳定性和可靠性。其设计还支持自动刷新功能，以减少外部控制器的负担，提高系统的整体效率。

S3SMBM 常见于工业控制设备、嵌入式系统、网络设备、医疗设备以及消费类电子产品中。例如，它可以用于工业自动化设备中的缓存存储，以提高数据处理效率；在通信设备中作为临时数据存储单元，支持高速数据交换；在便携式设备中提供低功耗的内存解决方案，延长设备续航时间。

ISSI IS61LV25616-10B4I