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S3NRN82XC2-YT30 发布时间 时间:2025/6/9 15:11:04 查看 阅读:5

S3NRN82XC2-YT30是一款高性能的功率MOSFET芯片,基于先进的半导体制造工艺设计,适用于多种电力电子应用场景。该器件主要以低导通电阻和高开关速度著称,能够在高频条件下提供卓越的效率表现。
  其结构采用N沟道增强型MOSFET技术,能够有效降低功耗并提升系统性能。该型号通常被应用于电源管理、电机驱动以及消费类电子产品中。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:52A
  导通电阻:1.6mΩ
  栅极电荷:75nC
  总电容:2400pF
  工作温度范围:-55℃ to 150℃

特性

S3NRN82XC2-YT30具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,确保在大电流应用中的高效能量传输。
  2. 高速开关能力,支持高频操作,适合现代电力电子设备的需求。
  3. 出色的热稳定性,在极端温度环境下仍能保持稳定运行。
  4. 小型化封装设计,便于PCB布局并节省空间。
  5. 内置保护功能,包括过流保护和过温关断机制,提高了整体系统的可靠性。

应用

该芯片广泛用于各类需要高效功率转换的应用场景,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)设计。
  2. DC-DC转换器及逆变器。
  3. 电动工具和家用电器中的电机控制。
  4. 汽车电子系统中的负载切换。
  5. 工业自动化领域的功率调节设备。
  S3NRN82XC2-YT30凭借其出色的性能指标,已成为众多工程师在功率处理项目中的首选方案。

替代型号

S3NRN80XC2-YT30, S3NRN85XC2-YT30

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