S3NRN82XC2-YT30是一款高性能的功率MOSFET芯片,基于先进的半导体制造工艺设计,适用于多种电力电子应用场景。该器件主要以低导通电阻和高开关速度著称,能够在高频条件下提供卓越的效率表现。
其结构采用N沟道增强型MOSFET技术,能够有效降低功耗并提升系统性能。该型号通常被应用于电源管理、电机驱动以及消费类电子产品中。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:52A
导通电阻:1.6mΩ
栅极电荷:75nC
总电容:2400pF
工作温度范围:-55℃ to 150℃
S3NRN82XC2-YT30具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,确保在大电流应用中的高效能量传输。
2. 高速开关能力,支持高频操作,适合现代电力电子设备的需求。
3. 出色的热稳定性,在极端温度环境下仍能保持稳定运行。
4. 小型化封装设计,便于PCB布局并节省空间。
5. 内置保护功能,包括过流保护和过温关断机制,提高了整体系统的可靠性。
该芯片广泛用于各类需要高效功率转换的应用场景,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)设计。
2. DC-DC转换器及逆变器。
3. 电动工具和家用电器中的电机控制。
4. 汽车电子系统中的负载切换。
5. 工业自动化领域的功率调节设备。
S3NRN82XC2-YT30凭借其出色的性能指标,已成为众多工程师在功率处理项目中的首选方案。
S3NRN80XC2-YT30, S3NRN85XC2-YT30