时间：2025/9/13 4:12:17
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S3DTR 是一款由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET晶体管，主要用于高效率的电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的半导体技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、快速开关特性和高可靠性，适用于各种高功率电子设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：300V
最大漏极电流（Id）：15A
导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω
最大功率耗散（Pd）：100W
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C至150°C
S3DTR具有低导通电阻，能够显著减少功率损耗，提高系统效率。
该器件具备优良的热稳定性和过热保护功能，能够在高温环境下稳定运行。
其快速开关特性可降低开关损耗，提高整体系统的响应速度。
此外，S3DTR的封装设计便于散热，适用于高功率密度的设计需求。
该MOSFET还具有良好的抗雪崩能力，能够在瞬态条件下提供更高的可靠性。
S3DTR广泛应用于各种电源管理系统，包括DC-DC转换器、AC-DC电源适配器和电机控制电路。
在工业自动化和电力电子领域，S3DTR可用于高效能的功率开关，确保系统的稳定运行。
同时，该器件也适用于消费类电子产品中的电源管理模块，如电视、音响设备和家用电器。
在新能源领域，S3DTR可应用于太阳能逆变器和储能系统的功率转换环节。
此外，其高可靠性和耐久性使其成为汽车电子系统中的理想选择。
TK15A50D, IRF840, 2SK2647
