时间：2025/8/24 9:22:34
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FQB25N33TM-NB82122 是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的平面工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和优良的热性能。其设计目标是提高系统效率，同时减少散热需求，使其成为高效能开关电源（SMPS）、DC-DC转换器以及电池充电器等应用的理想选择。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：330V
连续漏极电流（ID）：25A
导通电阻（RDS(on)）：0.18Ω（最大）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V~4V
功率耗散（PD）：94W
工作温度范围：-55°C~150°C
封装形式：TO-220
安装类型：通孔
FQB25N33TM-NB82122 的主要特性包括低导通电阻，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件具有优异的热稳定性，能够在高温环境下可靠工作，同时具备较高的电流承载能力。其快速开关特性减少了开关损耗，提高了整体电源转换效率。此外，FQB25N33TM-NB82122 采用TO-220封装，便于安装和散热管理，适用于各种高功率密度设计。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，可在2V至10V之间工作，提供更高的设计灵活性。
FQB25N33TM-NB82122 还具有良好的雪崩能量耐受能力，增强了器件在高应力条件下的可靠性。该MOSFET的封装材料符合RoHS环保标准，适用于环保要求较高的应用场合。其设计优化了开关性能和导通损耗的平衡，适用于高频开关应用。
FQB25N33TM-NB82122 主要用于各种电源管理与功率转换设备，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、UPS系统、电机控制器和照明驱动电路。它在高效率电源适配器、工业电源系统以及消费类电子产品中也具有广泛的应用前景。由于其优异的导通性能和高可靠性，该器件也适用于需要高效率和高稳定性的高端电源模块。
FQA24N330、FQA28N330、FGA25N332SAMDX、FQA25N33
