S3B-PH-K 时间：2025/12/27 15:58:20 阅读：10

S3B-PH-K是一款由Vishay Semiconductor生产的光耦合器（光电耦合器），广泛应用于需要电气隔离的电路设计中。该器件采用DIP-4封装，内部集成了一个砷化镓红外发光二极管和一个硅NPN光电晶体管，能够实现输入与输出之间的高效电光-光电转换。S3B-PH-K具有良好的隔离性能、高稳定性和较长的工作寿命，适用于工业控制、电源系统、通信设备以及各种需要信号隔离的场合。其设计符合安全标准，支持较高的隔离电压，确保在高压环境中可靠运行。此外，该光耦具备较强的抗电磁干扰能力，能够在噪声较大的电气环境下保持稳定的信号传输性能。由于其通用性强且性价比高，S3B-PH-K成为许多嵌入式系统和自动化设备中的常用元件之一。

参数

类型：光电晶体管输出光耦
　　通道数：1
　　输入正向电流：50 mA
　　输入反向电压：6 V
　　输出耐压（集电极-发射极）：35 V
　　电流传输比（CTR）：50% ~ 600%
　　工作温度范围：-55°C ~ +110°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +125°C
　　最大功耗（总）：200 mW
　　响应时间（开通+关断）：4 μs + 3 μs
　　绝缘电压：5300 Vrms
　　封装形式：DIP-4
　　引脚数：4
　　安装类型：通孔

特性

S3B-PH-K光耦合器的核心特性在于其优异的电气隔离能力和稳定的信号传输性能。该器件通过将电信号转化为光信号再还原为电信号的方式，在输入端和输出端之间实现了完全的电气隔离，有效防止了高压反馈、地环路干扰以及瞬态电压对敏感电路的损害。其内部采用高亮度GaAs红外LED与高灵敏度硅光电晶体管配对，确保即使在较低的输入驱动电流下也能实现高效的信号传递，典型条件下电流传输比（CTR）可达50%至600%，适应多种驱动电路需求。
　　该器件的工作温度范围宽达-55°C至+110°C，使其能够在极端环境温度下稳定运行，适用于工业级应用。同时，S3B-PH-K具备高达5300 Vrms的绝缘电压，满足UL、CSA等国际安全认证要求，适用于需要高隔离等级的电源管理、电机控制和医疗设备等场景。响应时间方面，开通时间约为4μs，关断时间为3μs，具备较快的开关速度，适合中频信号隔离应用，如开关电源反馈回路、微控制器I/O隔离、PLC数字输入模块等。
　　封装上采用标准4引脚DIP-4封装，便于手工焊接和自动化装配，兼容主流PCB布局设计。该器件无铅化设计符合RoHS环保标准，并具备良好的抗电磁干扰（EMI）能力，可在复杂电磁环境中保持信号完整性。此外，S3B-PH-K具有较低的老化衰减率，长期使用后性能仍能保持稳定，提升了系统的可靠性与使用寿命。整体而言，这款光耦在性能、可靠性和成本之间达到了良好平衡，是众多隔离应用的理想选择。

应用

S3B-PH-K广泛应用于各类需要电气隔离的电子系统中。常见用途包括开关电源中的反馈控制回路，用于隔离初级侧与次级侧之间的误差信号，保障系统安全并提升稳定性。在工业自动化领域，它被大量用于可编程逻辑控制器（PLC）的数字输入模块，实现现场传感器信号与内部逻辑电路的隔离，避免外部高压或噪声干扰影响控制系统。此外，在交流逆变器、UPS不间断电源、电机驱动器等电力电子设备中，S3B-PH-K也承担着关键的信号隔离任务。
　　在通信接口电路中，该光耦可用于隔离RS-232、RS-485等通信线路，防止不同设备间的地电位差造成损坏。在医疗电子设备中，因其具备高绝缘电压和符合安全标准的特点，常用于患者连接设备的信号隔离部分，以满足严格的电气安全规范。同时，S3B-PH-K也可用于微处理器系统的I/O端口隔离，保护主控芯片免受外部异常电压冲击。其他应用场景还包括电池管理系统（BMS）、智能电表、家用电器控制板以及各类工业仪表等。得益于其通用性、高可靠性及宽温工作能力，S3B-PH-K已成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。