类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：650V
　　栅极-源极击穿电压（Vgs）：±30V
　　最大连续漏极电流（Id）：58A（在Tc=25°C时）
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.15Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散（Ptot）：200W

S2PF580N65的主要特性包括高电压耐受能力（高达650V），适用于高电压电源系统；低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率；该器件具有较高的电流承载能力，可支持高达58A的连续漏极电流，适用于高功率密度设计。此外，其TO-247封装形式提供了良好的散热性能，确保在高功率操作下的稳定性。
　　该MOSFET的栅极驱动特性较为宽泛，允许使用标准的栅极驱动电路，降低了设计复杂性。同时，S2PF580N65具有良好的短路耐受能力和较高的雪崩能量吸收能力，使其在高应力条件下也能保持稳定运行。器件的制造工艺采用了先进的平面技术，优化了开关性能，减少了开关损耗，并增强了热稳定性和长期可靠性。
　　此外，S2PF580N65的封装设计确保了良好的电气隔离和机械强度，适合在恶劣环境条件下工作，如高温、高湿度或高振动环境中。其封装还具有较低的热阻，有助于快速散热，从而延长器件的使用寿命。

S2PF580N65广泛应用于各种高电压和高功率电子系统中。常见应用包括工业电源、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、马达驱动、电焊机、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器以及电动汽车充电设备等。由于其高耐压能力和优异的导通性能，该MOSFET特别适合用于高电压直流（HVDC）转换系统和功率因数校正（PFC）电路。此外，该器件也可用于高频开关应用，如感应加热设备和电子镇流器。

IPW60R095CFD7, STF58NM65N, FCP580N65S3, SPW580N65CF3