S2GBF 是一款由东芝(Toshiba)生产的光耦合器(光电耦合器),主要用于在电子电路中实现电气隔离。光耦合器通过光信号传输电信号,从而在输入和输出之间提供电气隔离,确保电路的安全性和抗干扰能力。S2GBF 采用双列直插式封装(DIP),广泛应用于工业自动化、电源管理、电机控制以及通信设备中。这款光耦合器具有较高的绝缘耐压能力和较长的使用寿命,适用于需要高可靠性和稳定性的应用场景。
类型:光耦合器(光电晶体管输出)
输入侧LED类型:GaAs红外发光二极管
输出侧晶体管类型:硅NPN光电晶体管
最大正向电流(IF):50 mA
最大反向电压(VR):5 V
集电极-发射极最大电压(VCE):30 V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):0.4 V(典型值)
电流传输比(CTR):50% ~ 600%(取决于型号后缀)
绝缘耐压:5000 VRMS(1分钟)
工作温度范围:-55°C ~ +125°C
存储温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:4引脚DIP(双列直插式)
安装类型:通孔(Through Hole)
S2GBF 光耦合器具备多项优异特性,适用于多种电子系统中的信号隔离和传输需求。
首先,S2GBF 提供了高效的电气隔离能力,其绝缘耐压高达5000 VRMS,能够在高压环境下确保输入和输出之间的安全隔离,防止高压回路对低压控制电路造成影响。这种高隔离电压能力使其特别适用于工业设备、电源转换器和电机控制系统等应用。
其次,S2GBF 的电流传输比(CTR)范围较宽,通常在50%至600%之间,具体数值取决于后缀型号。CTR是衡量光耦合器性能的重要参数,表示输入电流与输出电流之间的比例关系。高CTR意味着更强的信号传输能力,使得S2GBF适用于需要高灵敏度和稳定性的控制电路。
此外,S2GBF采用了GaAs红外LED和硅光电晶体管的组合,具有较长的使用寿命和良好的温度稳定性。其工作温度范围为-55°C至+125°C,可在极端温度条件下保持稳定性能,适用于汽车电子、工业自动化和户外设备等复杂环境。
该器件的4引脚DIP封装结构便于安装和维护,支持通孔焊接,适用于传统PCB布局和自动化生产流程。同时,其低饱和电压(典型值0.4 V)有助于减少功耗和发热,提高整体系统效率。
综合来看,S2GBF 光耦合器凭借其高隔离电压、宽CTR范围、良好的温度适应性和低功耗设计,成为工业控制、电源管理、通信接口等领域的理想选择。
S2GBF 光耦合器主要应用于需要电气隔离和信号传输的电子系统中,涵盖工业自动化、电力电子、通信设备和消费类电子产品等多个领域。
在工业自动化系统中,S2GBF 常用于PLC(可编程逻辑控制器)、变频器、伺服驱动器和继电器控制模块中,实现控制信号与高电压功率电路之间的隔离,提高系统安全性和抗干扰能力。
在电源管理系统中,S2GBF 可用于隔离反馈信号,常见于开关电源、DC-DC转换器和不间断电源(UPS)等设备中,确保主电路与控制电路之间的电气隔离,防止高压干扰和损坏控制单元。
在电机控制和工业通信接口中,S2GBF 可用于隔离RS-485、CAN总线等通信信号,提高通信的稳定性和可靠性,适用于工业现场总线系统和自动化仪表。
此外,S2GBF 也广泛应用于家电产品中的控制电路隔离,如洗衣机、空调、微波炉等设备中的继电器控制和电源管理模块,确保用户和设备的安全性。
综上所述,S2GBF 光耦合器凭借其优异的电气隔离性能和稳定性,适用于多种工业和消费类电子应用场景,是实现信号隔离和电气安全保护的重要元器件。
TLP521-4, PC817, 4N35, EL3H7-G