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S29GL256S10DHB023 发布时间 时间:2025/12/25 22:00:11 查看 阅读:21

S29GL256S10DHB023是一款由Cypress Semiconductor(现属于Infineon Technologies)生产的3.0V Spansion GL-S系列NOR闪存芯片,容量为256兆位(即32MB),采用标准的TSOP封装形式。该器件专为需要高可靠性和高性能嵌入式存储解决方案的应用而设计,适用于工业控制、网络设备、汽车电子以及通信基础设施等领域。S29GL256S10DHB023支持多种读写操作模式,包括快速页读取、异步读取和扇区擦除等,具备出色的耐久性和数据保持能力。其工作电压范围为2.7V至3.6V,可在宽温度范围内稳定运行(通常为-40°C至+85°C或更高级别的工业级/汽车级温度范围)。该芯片还集成了先进的保护机制,如硬件写保护、软件数据锁定和一次性可编程(OTP)区域,有效防止意外写入或恶意篡改,确保关键代码和数据的安全性。此外,它兼容JEDEC标准命令集,便于与现有系统集成,并支持多平台开发工具链,简化了固件升级和现场更新流程。

参数

型号:S29GL256S10DHB023
  制造商:Cypress / Infineon
  存储类型:NOR Flash
  容量:256 Mbit (32 MB)
  电压范围:2.7V 至 3.6V
  封装类型:TSOP-64
  接口类型:并行(x8/x16)
  读取访问时间:100ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  擦除周期:100,000 次(典型值)
  数据保持时间:20 年(典型值)
  写保护功能:支持硬件和软件写保护
  编程电压:单电源供电(无需高压编程)
  组织结构:块架构,包含多个可独立擦除的扇区
  命令集:支持CFI(Common Flash Interface)
  总线宽度:x8 或 x16 可配置

特性

S29GL256S10DHB023具备多项先进特性,使其在嵌入式非易失性存储应用中表现出色。首先,该器件采用Spansion GL-S系列的高性能NOR闪存技术,提供稳定的100ns读取访问时间,能够满足高速微处理器直接从闪存执行代码(XIP, eXecute In Place)的需求,从而减少对外部RAM的依赖,优化系统成本与功耗。其次,其存储阵列被划分为多个扇区(sector),支持按扇区或整片擦除操作,允许对特定区域进行更新而不影响其他数据,非常适合用于固件更新、日志记录或多分区管理场景。
  该芯片内置完整的命令集架构,兼容JEDEC CFI标准,使主机系统可以通过标准化方式查询设备参数并动态配置控制器,提升系统的灵活性和可移植性。同时,S29GL256S10DHB023集成了多重数据保护机制:包括Vpp引脚监控、未上电时自动写保护、软件数据锁定(如Lock Register功能)、以及一次性可编程(OTP)安全区,可用于存储加密密钥、序列号或授权信息,增强系统安全性。
  在可靠性方面,该器件保证每个扇区可承受高达10万次的擦除/编程周期,并可在断电状态下长期保存数据达20年以上,适用于工业及汽车级严苛环境。此外,其低功耗设计支持多种省电模式,例如待机模式和深度掉电模式,在不进行读写操作时显著降低静态电流消耗,延长电池寿命。最后,该产品符合RoHS环保要求,并通过AEC-Q100等车规认证(部分等级型号),适用于车载信息娱乐系统、ADAS模块及其他高可靠性应用场景。

应用

S29GL256S10DHB023广泛应用于对稳定性、安全性和性能有较高要求的嵌入式系统中。在工业自动化领域,常用于PLC控制器、HMI人机界面、工业网关和远程I/O模块中存储操作系统、应用程序代码和配置参数。在网络通信设备中,如路由器、交换机和基站控制器,该芯片用于存放启动引导程序(Bootloader)、固件镜像和运行配置文件,支持快速启动和远程在线升级(FOTA)。在汽车电子方面,得益于其宽温特性和高可靠性,被广泛应用于车载导航系统、仪表盘控制单元、车身控制模块(BCM)以及高级驾驶辅助系统(ADAS)中,用于存储传感器校准数据、地图信息和车辆配置信息。
  此外,该器件也适用于医疗设备,例如便携式监护仪、超声成像系统和病人监测终端,其中对数据完整性和长期稳定性要求极高。在消费类高端设备中,如数字电视、机顶盒和智能家电主控板,S29GL256S10DHB023可作为主程序存储器,实现快速开机和稳定运行。由于其支持XIP执行模式,CPU可以直接从闪存中运行代码,避免将整个程序加载到RAM中,节省内存资源并提高响应速度。同时,其扇区保护和OTP功能为设备厂商提供了防克隆、防篡改和版权保护的技术手段,增强了产品的市场竞争力。整体而言,S29GL256S10DHB023是一款适用于多行业、多功能、高可靠性的通用型NOR Flash解决方案。

替代型号

S29GL256S10TFB020
  S29GL256S11TFB020
  S29GL256S10DHB021
  MT28EW256ABA1LPC-0SIT
  CY16B128QFN

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S29GL256S10DHB023参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,200 : ¥67.75305卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100, GL-S
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量256Mb
  • 存储器组织16M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页60ns
  • 访问时间100 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳64-LBGA
  • 供应商器件封装64-FBGA(9x9)