容量：128 Mbit (16 MB)
　　组织结构：16 M x 8 位 / 8 M x 16 位
　　工艺技术：45nm 浮栅闪烁技术
　　封装类型：64-ball FBGA (8x10 mm)
　　电源电压：3.0V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
　　待机电流：典型值 50 μA，最大值 100 μA
　　读取电流：典型值 25 mA
　　编程/擦除电流：典型值 35 mA
　　访问时间：90 ns（最大）
　　接口类型：并行异步接口（地址/数据复用或非复用模式）
　　可靠性：每扇区可擦写 100,000 次，数据保持时间 20 年以上
　　写保护功能：支持硬件 WP# 引脚和软件写保护
　　安全特性：支持一次性可编程（OTP）区域和设备标识锁定功能
　　总线宽度：可配置为 x8 或 x16 模式
　　命令集支持：支持 AMD/JEDEC、Cypress 命令集及 CFI 接口

S29GL128S11FHIV10 具备多项先进特性，确保其在复杂嵌入式环境中的稳定性和高效性。首先，其采用 45nm 浮栅技术制造，显著提升了存储密度的同时降低了功耗，使得该器件在待机和读取状态下均表现出优异的能效比。其双总线宽度配置能力（x8/x16）允许系统设计师根据实际需求灵活选择接口模式，在引脚资源受限的设计中使用字节模式，而在追求性能的应用中切换至字模式以提升吞吐量。
　　该芯片支持异步并行接口，具备快速的地址建立和数据输出时序，访问时间低至 90ns，满足实时操作系统对代码执行速度的要求，特别适用于需要直接从闪存运行程序的应用场景。此外，内部集成的锁相环（PLL）辅助电路优化了内部时钟管理，提高了读取稳定性。
　　在耐久性和数据保持方面，S29GL128S11FHIV10 可承受高达 100,000 次的擦写周期，远超一般消费类闪存芯片的标准，并且在断电情况下可确保数据保存超过 20 年，适用于长期部署且难以维护的工业现场设备。
　　安全性方面，器件提供多层级保护机制：包括硬件写保护引脚（WP#），防止意外写入或擦除；软件命令锁住特定扇区；以及一次性可编程（OTP）区域，可用于存储加密密钥、序列号或固件版本信息，防止非法复制。
　　此外，该芯片完全符合工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），可在极端环境下可靠运行，增强了其在户外通信基站、轨道交通控制系统等严苛应用场景中的适应能力。CFI（通用闪存接口）的支持使主机能够动态读取设备参数，如电压要求、定时参数和结构布局，极大简化了系统移植和多厂商兼容设计的工作量。

S29GL128S11FHIV10 广泛应用于对可靠性、性能和长期供货有严格要求的领域。在工业自动化领域，它常被用于可编程逻辑控制器（PLC）、人机界面（HMI）和工业网关中，用于存储固件、配置参数和实时操作系统的引导代码。由于其支持 XIP（就地执行）功能，系统可以直接从闪存中运行程序而无需将其加载到 RAM，节省了内存资源并加快启动速度。
　　在网络与通信设备中，该芯片常见于路由器、交换机、基站控制器和光纤接入设备中，作为 BIOS 或 FPGA 配置代码的存储介质。其快速读取能力和高抗干扰特性确保了网络设备在频繁重启和恶劣电磁环境下的稳定运行。
　　在汽车电子方面，尽管该型号未通过 AEC-Q100 认证，但部分车载信息娱乐系统和远程信息处理单元仍采用该器件进行原型设计或非安全关键模块的数据存储。未来升级版本若有车规认证，则更具潜力。
　　此外，在医疗设备、测试测量仪器和军事/航空航天地面系统中，S29GL128S11FHIV10 因其长生命周期支持（Cypress 承诺长期供货）和高数据完整性保障，成为许多 OEM 厂商的首选 NOR Flash 解决方案。其 OTP 区域也常用于设备唯一标识绑定和防伪验证，提升整体系统安全性。

S29GL128P_11FFIV10
　　S29GL128S10TFIV20
　　S29GL128S11TFIV11
　　CY15X104QN