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S29GL064S70FHI010 发布时间 时间:2025/11/3 10:20:51 查看 阅读:21

S29GL064S70FHI010是一款由Cypress Semiconductor(现属于Infineon Technologies)生产的64兆位(8MB)的NOR闪存芯片,属于其S29GL系列高性能、多用途的非易失性存储器产品线。该器件采用先进的MirrorBit技术,能够提供高密度、高速度和高可靠性的数据存储解决方案,广泛应用于需要代码执行、数据存储和固件更新的关键系统中。S29GL064S70FHI010支持多种电压操作模式,具备灵活的电源管理功能,并兼容CECC、JEDEC等国际标准,适用于工业控制、网络设备、通信基础设施以及汽车电子等多种严苛环境下的应用。
  S29GL064S70FHI010采用56引脚FBGA封装(Fine-Pitch Ball Grid Array),具有较小的封装尺寸,适合空间受限的设计。该芯片支持x8/x16两种总线宽度操作模式,允许系统设计者根据性能与引脚资源需求进行配置。其内部结构划分为多个可独立擦除的扇区(Sector),支持按扇区或整片擦除,同时具备写保护功能以防止意外编程或擦除操作,增强了系统的数据安全性。此外,该器件集成了硬件复位功能,可在上电或异常情况下自动进入安全状态,确保系统稳定启动。

参数

制造商:Infineon Technologies (原Cypress)
  系列:S29GL
  存储类型:NOR Flash
  存储容量:64 Mbit
  用户可用容量:8,388,608 字节
  接口类型:并行(x8/x16)
  时钟频率:最高支持70 MHz
  工作电压:2.7V 至 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:56-TFBGA(8×10 mm)
  编程电压:内部电荷泵生成
  访问时间:70 ns
  写使能信号:支持
  输出使能信号:支持
  地址锁存使能:支持
  复位引脚:有,低电平有效
  写保护功能:有,通过WP#引脚或软件控制
  扇区大小:不同大小的扇区组合(包括小扇区用于精细控制)
  擦除方式:扇区擦除、整片擦除
  编程方式:字/字节编程
  可靠性:典型数据保持时间 > 20 年,擦写次数 > 100,000 次

特性

S29GL064S70FHI010采用了Cypress独有的MirrorBit技术,这项创新的存储单元结构在每个物理位置上存储两个比特信息,显著提高了存储密度,同时降低了制造成本。MirrorBit技术利用氮化物层中的电荷陷阱来存储数据,相较于传统浮栅技术具有更好的耐久性和数据保持能力。这种结构不仅提升了器件的可靠性,还增强了抗辐射和高温稳定性,使其特别适用于工业和汽车级应用场景。
  该芯片支持多种操作模式,包括读取、编程、擦除、挂起/恢复等功能。用户可以通过标准命令序列对器件进行编程和擦除操作,所有命令均通过写入特定地址实现,简化了软件驱动开发。其支持的扇区架构非常灵活,包含多个小型扇区(如8KB、16KB)和大型主扇区(64KB),便于实现Boot Block保护机制——将关键启动代码存放在受保护的小扇区中,避免在固件升级过程中被误擦除。
  为了提升系统可靠性,S29GL064S70FHI010内置了VPP检测电路和编程算法验证机制,确保在电压不稳定时不会发生错误编程。此外,它具备硬件复位功能,在上电或外部复位信号触发时,自动将内部状态机重置为只读模式,防止总线冲突。器件还支持擦除暂停功能,允许在长时间擦除操作中临时中断并执行高优先级读取任务,之后继续完成原擦除过程,极大提升了实时系统的响应能力。
  在功耗管理方面,S29GL064S70FHI010提供了多种低功耗模式,包括待机模式和深度掉电模式。在待机模式下,电流消耗可低至数十微安;而在掉电模式下,典型电流低于1μA,非常适合电池供电或节能型系统使用。所有引脚均符合3.3V LVTTL电平兼容标准,可直接与主流微处理器和FPGA无缝对接。
  该器件通过了严格的AEC-Q100汽车级认证(部分版本),具备出色的抗干扰能力和长期稳定性,能够在振动、温变剧烈的环境中可靠运行。其封装采用无铅、无卤素材料,符合RoHS和WEEE环保规范,满足现代绿色电子产品设计要求。

应用

S29GL064S70FHI010因其高性能、高可靠性和宽温工作能力,广泛应用于多个高端嵌入式领域。在工业自动化系统中,常用于PLC控制器、HMI人机界面、工业网关等设备中存储操作系统、应用程序代码及配置参数,支持现场固件升级(FOTA)功能。
  在网络通信设备中,如路由器、交换机、基站控制器等,该芯片用于存放引导程序(Bootloader)、网络协议栈和设备固件,其快速随机读取能力支持XIP(eXecute In Place)模式,即代码直接在Flash中执行,无需加载到RAM,节省内存资源并加快启动速度。
  在汽车电子系统中,S29GL064S70FHI010可用于车载信息娱乐系统(IVI)、高级驾驶辅助系统(ADAS)控制模块、车身控制单元(BCM)等,存储车辆校准数据、诊断程序和用户设置信息,其宽温特性和高耐久性确保在极端气候条件下仍能稳定运行。
  此外,该器件也适用于医疗设备、测试仪器、军事通信终端等对数据完整性和系统可靠性要求极高的场合。例如,在便携式医疗监测仪中,可用于长期保存患者历史数据和设备校准记录;在军用无线电中,则用于存储加密算法和通信协议,保障信息安全。
  由于其支持并行接口和高速访问,S29GL064S70FHI010还能作为DSP或ARM处理器的外置程序存储器,尤其适合那些没有足够片上Flash的微控制器系统,扩展其代码存储能力。

替代型号

S29GL064N90TFIR20
  S29GL064S90TFI020
  S29GL064S70TFI020
  S29GL064S90FHI020
  CY15X104QN

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S29GL064S70FHI010参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥36.97000托盘
  • 系列GL-S
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量64Mbit
  • 存储器组织8M x 8,4M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页60ns
  • 访问时间70 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳64-LBGA
  • 供应商器件封装64-FBGA(13x11)