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S29GL064N90BAI043 发布时间 时间:2025/12/25 23:00:30 查看 阅读:12

S29GL064N90BAI043是一款由Cypress Semiconductor(现属于Infineon Technologies)生产的64兆位(8MB)NOR闪存芯片,属于其GL系列高性能、多用途闪存产品线。该器件采用先进的MirrorBit技术,能够在单个晶体管单元中存储两个数据位,从而实现更高的存储密度和更低的每比特成本。S29GL064N系列专为需要高可靠性、快速读取性能和持久数据存储的应用而设计,广泛应用于工业控制、通信设备、汽车电子以及嵌入式系统等领域。
  S29GL064N90BAI043支持多种电压操作模式,通常工作在3.0V至3.6V的电源电压范围内,具备低功耗特性,适合对能效有严格要求的应用场景。该器件提供标准的并行接口,兼容常见的地址/数据总线架构,便于与微控制器、DSP或FPGA等主控芯片连接。此外,它还集成了高级的写保护机制,包括软件写保护、硬件写保护(通过WP#引脚)以及顶部/底部扇区保护功能,有效防止意外擦除或编程操作,确保关键代码和数据的安全性。
  该型号后缀中的'90'表示其最大访问时间为90纳秒,适用于中高速读取应用;'BAI'代表封装形式为48-pin TSOP(薄型小尺寸封装),工作温度范围为工业级(-40°C至+85°C)。'043'则指代特定的订购代码或版本标识,可能涉及内部工艺批次或兼容性规范。S29GL064N90BAI043符合RoHS环保标准,并经过严格的可靠性测试,具备出色的耐久性和数据保持能力,典型擦写周期可达10万次以上,数据保存时间超过20年。

参数

制造商:Infineon Technologies (原 Cypress Semiconductor)
  系列:GL-N
  存储容量:64 Mbit (8 MByte)
  存储器类型:NOR Flash
  电源电压:3.0V ~ 3.6V
  访问时间:90 ns
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装/外壳:48-Pin TSOP Type II
  接口类型:并行异步接口
  组织结构:按字节寻址,可配置为x8/x16模式
  写入耐久性:100,000 次擦写周期
  数据保持期:大于 20 年
  写保护功能:支持软件与硬件写保护
  编程电压:内部电荷泵生成高压
  JEDEC标准兼容:支持标准TSOP封装引脚定义
  可靠性:经过高温老化测试与ESD防护设计

特性

S29GL064N90BAI043具备多项先进特性,使其在嵌入式非易失性存储领域具有显著优势。首先,其采用的MirrorBit技术不仅提升了存储密度,还优化了制造成本,同时维持了传统NOR Flash的快速随机读取性能,这对于执行就地执行(XIP, eXecute In Place)的应用至关重要。这意味着处理器可以直接从该Flash中运行代码,无需将程序加载到RAM中,从而节省系统资源并加快启动速度。
  其次,该器件支持灵活的扇区架构,整个64Mbit空间被划分为多个可独立擦除的扇区,包括多个较小的参数扇区和较大的主数据扇区,这种分层结构允许用户精细管理固件更新、配置信息和日志数据,避免全片擦除带来的风险和延迟。此外,内置的命令集支持自动选择、块锁定、临时解锁、恢复出厂设置等功能,极大简化了软件开发复杂度。
  再者,S29GL064N90BAI043具备强大的错误管理与安全机制。除了常规的软件写保护外,硬件WP#引脚可在上电或复位期间强制锁定部分或全部存储区域,防止异常信号干扰导致的数据损坏。器件还支持VPP检测功能,在供电不稳定时禁止编程操作,进一步提高数据完整性。其内部状态机支持轮询标志位(DQ7/DQ6)和Toggle Bit功能,使主机能够实时监控编程/擦除操作进度,提升系统响应效率。
  最后,该芯片在环境适应性和长期供货稳定性方面表现出色。工业级温度范围确保其在严苛环境下稳定运行,广泛用于户外通信基站、轨道交通控制系统及工业自动化设备。尽管Cypress已逐步转向串行NOR和其他新型存储技术,但该型号仍在许多存量项目中持续使用,并受到完整的技术支持。

应用

S29GL064N90BAI043广泛应用于多个对可靠性和性能有较高要求的领域。在工业控制方面,常用于PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)和远程I/O模块中,用于存储操作系统、应用程序代码和设备配置参数,其高耐用性和宽温特性保障了工厂环境下的长期稳定运行。
  在通信基础设施中,该芯片被集成于路由器、交换机、基站控制板等设备中,作为BIOS或引导ROM使用,支持快速启动和固件回滚功能,满足电信级设备对可用性的严苛要求。由于具备XIP能力,可在不占用大量RAM的情况下直接执行初始化代码,有效降低系统成本。
  汽车电子是另一个重要应用方向,尤其适用于车身控制模块(BCM)、仪表盘系统和车载信息娱乐系统的早期设计。虽然当前趋势转向更小封装和更低功耗的串行Flash,但在一些需要并行接口带宽的传统平台中,S29GL064N90BAI043仍发挥着重要作用。
  此外,该器件也见于医疗设备、测试测量仪器和军事电子系统中,用于存储校准数据、诊断程序和安全认证信息。这些应用场景普遍要求元器件具备长生命周期支持、高抗干扰能力和可追溯的生产记录,而S29GL064N90BAI043正符合此类需求。随着产品逐渐进入停产阶段,许多客户正在评估迁移方案,但仍有不少系统出于兼容性和认证延续性的考虑继续使用该型号。

替代型号

S29GL064N90TFI040
  S29GL064N90TAI040
  S29GL064N90BAI104
  CY15X104QN040SST

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S29GL064N90BAI043参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥11.29598卷带(TR)
  • 系列GL-N
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量64Mbit
  • 存储器组织8M x 8,4M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页90ns
  • 访问时间90 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳48-VFBGA
  • 供应商器件封装48-FBGA(8.15x6.15)