制造商：Infineon Technologies (原 Cypress)
　　系列：GL Series
　　存储容量：32 Mbit
　　存储器类型：NOR Flash
　　组织结构：256 个扇区 × 64 KB
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　访问时间：90ns
　　接口类型：并行（8/16位）
　　封装类型：48-TSOPII
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　写保护功能：软件和硬件写保护
　　擦除时间（典型）：70ms（全片）
　　编程时间（典型）：14μs/字
　　耐久性：100,000 次擦写周期
　　数据保持期：20 年

S29GL032N90TFI013采用了Cypress独有的MirrorBit技术，这项技术是其核心优势之一。传统的闪存每个存储单元只能存储一个比特信息，而MirrorBit技术利用氮化物层作为双电荷存储层，使得一个物理单元可以分别在左右两侧存储两个独立的比特，实现了“虚拟”加倍的存储密度，同时降低了制造成本并提升了集成度。这种结构不仅提高了单位面积的存储能力，还增强了器件的可靠性和抗干扰能力。由于采用先进的制造工艺，该芯片在高温环境下仍能保持稳定的数据保持能力和耐久性，非常适合工业级和汽车级应用需求。
　　该器件支持灵活的扇区架构，共256个64KB大小的扇区，允许用户进行精细粒度的数据管理。无论是执行全片擦除还是针对特定扇区的操作，都可以通过标准的命令序列完成。这在固件升级、日志记录或配置参数保存等场景中非常有用。此外，S29GL032N90TFI013具备快速的读取性能，90纳秒的访问时间确保了处理器能够高效地从闪存中获取指令，提升系统整体响应速度。对于写入和擦除操作，芯片内部集成了电荷泵电路，仅需单一电源即可完成高压编程操作，简化了电源设计。
　　为了保障数据安全，该芯片提供了多层次的写保护机制。包括VPP输入引脚的硬件写保护、软件命令锁定位以及临时锁定寄存器等功能，可有效防止因电源波动、电磁干扰或程序错误导致的关键代码被误修改。同时，器件支持多种低功耗模式，如待机模式和深度休眠模式，有助于延长电池供电系统的续航时间。所有操作均符合JEDEC标准命令集，保证了与其他微控制器和处理器的良好兼容性。此外，该芯片通过AEC-Q100认证，适用于严苛的汽车电子环境，并具有高抗辐射和抗噪声能力，确保长期运行的稳定性。

S29GL032N90TFI013广泛应用于对数据可靠性、读取速度和环境适应性要求较高的嵌入式系统中。常见用途包括网络通信设备，如路由器、交换机和基站控制器，用于存储启动代码（Boot Code）、操作系统映像和配置文件。在这些设备中，快速的随机读取能力使得CPU可以在上电后迅速加载引导程序，缩短启动时间。工业控制系统也是其重要应用领域，例如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程IO模块，这些设备通常需要在恶劣温度条件下长期运行，而该芯片的宽温特性和高耐久性正好满足此类需求。
　　在汽车电子方面，S29GL032N90TFI013可用于车身控制模块、仪表盘显示系统、车载信息娱乐系统（IVI）以及ADAS（高级驾驶辅助系统）中的非易失性数据存储。其通过AEC-Q100认证，表明其在振动、湿度和极端温度变化下的可靠性得到了行业认可。此外，在医疗设备、测试测量仪器和航空电子设备中，该芯片也因其高稳定性和长期数据保持能力而被采用。由于支持并行接口和标准命令集，它可以轻松替换原有设计中的类似NOR Flash器件，降低开发难度。总体而言，凡是需要可靠、快速、持久的非易失性存储解决方案的场合，S29GL032N90TFI013都是一个理想选择。

S29GL032N90TF1013
　　S29GL032N90DHI013
　　S29GL032N90ZHI013