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S26MD01 发布时间 时间:2025/8/28 9:45:56 查看 阅读:17

S26MD01 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)推出的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于STripFET? F7系列。该器件设计用于高效率、高频率的功率转换应用,具有低导通电阻(Rds(on))、快速开关速度和高雪崩耐受能力。S26MD01采用D2PAK(TO-263)封装,适用于工业电源、电机控制、DC-DC转换器以及新能源系统等应用领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):600V
  最大漏极电流(Id):16A(在Tc=25°C时)
  导通电阻(Rds(on)):0.26Ω(最大值,Vgs=10V)
  栅极电荷(Qg):52nC(典型值)
  输入电容(Ciss):1200pF(典型值)
  最大功耗(Ptot):125W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:D2PAK(TO-263)

特性

S26MD01 MOSFET采用了ST先进的STripFET? F7技术,具备出色的导通和开关性能。其低导通电阻(Rds(on))有助于降低导通损耗,提高系统效率;同时,该器件具有较低的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss),使其在高频开关应用中表现出色。
  此外,S26MD01具备优异的热稳定性和高雪崩能量耐受能力,能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。该器件的D2PAK封装形式具备良好的散热性能,适用于需要高功率密度的设计。
  由于其优化的动态性能和低电磁干扰(EMI)特性,S26MD01非常适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器以及新能源系统(如太阳能逆变器和储能系统)等应用。该器件还通过了AEC-Q101汽车级认证,可用于汽车电子系统中的功率管理。

应用

S26MD01广泛应用于各类高功率、高效率的电力电子系统中。其主要应用场景包括:开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、功率因数校正(PFC)电路、电机驱动器、UPS不间断电源、工业自动化设备以及新能源系统(如光伏逆变器和电池管理系统)。此外,由于其具备汽车级认证,S26MD01也可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和车载逆变器等汽车电子系统。

替代型号

STF16N60DM2、STP16N60DM2、FQA16N60、FDMS86181

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