制造商：Infineon Technologies (原Spansion)
　　系列：FL-S
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：512 Mbit (64 MB)
　　接口类型：QSPI, SPI, Dual SPI, Quad SPI
　　时钟频率：最高支持133 MHz（四I/O模式下等效于532 Mbps）
　　电源电压：2.7V 至 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +105°C
　　封装类型：8-WSON (5mm x 6mm), 8-SOIC
　　写使能锁存（WEL）：支持
　　状态寄存器保护：支持多种软件/硬件写保护机制
　　扇区大小：4KB（小扇区擦除）
　　块大小：64KB（大块擦除）
　　编程时间（典型）：0.7ms / 32字节（页编程）
　　擦除时间（典型）：400ms（整片擦除）
　　待机电流：<15 μA
　　主动电流：<9 mA（在133MHz连续读取）
　　可靠性：耐久性10万次编程/擦除周期，数据保持时间100年

S25FS512SAGMFV010具备多项先进特性，使其在同类闪存产品中脱颖而出。首先，它支持多种读取模式，包括标准SPI、Dual Output/IO、Quad Output/IO以及Continuous Read Mode，在四I/O快速读取模式下可实现高达532Mbps的吞吐率，显著提升系统启动速度和运行效率。其次，该器件集成了Cache Read Lock功能，允许将关键代码锁定在缓存中，避免重复寻址延迟，提高实时响应能力。
　　另一个重要特性是其灵活的安全保护机制。芯片内置软件和硬件写保护功能，可通过状态寄存器配置对部分或全部存储区域进行写入和擦除锁定，防止意外修改或恶意篡改，确保固件完整性。此外，支持安全临时取消写保护（Temporary Unprotect）功能，便于现场升级而不牺牲长期安全性。
　　S25FS512S还具有卓越的可靠性和耐久性，每个扇区可承受多达100,000次编程/擦除循环，数据保存时间可达100年以上，满足严苛工业和汽车应用场景的需求。其支持深度省电模式（Deep Power-down Mode），可将功耗降至极低水平，延长电池供电设备的续航时间。
　　该器件兼容JEDEC标准指令集，并提供丰富的命令集用于管理读写、擦除、识别和配置操作。同时支持回环测试（Loopback Testing）和ECC校验增强功能，有助于提升信号完整性和数据传输稳定性。对于多芯片系统，支持统一ID和独立选择机制，便于系统集成与调试。最后，该型号符合RoHS环保要求，并通过AEC-Q100汽车级认证，适用于车载信息娱乐系统、ADAS模块等高可靠性需求的应用场景。

S25FS512SAGMFV010广泛应用于多个高要求领域。在汽车电子方面，常用于存储车载信息娱乐系统（IVI）、高级驾驶辅助系统（ADAS）、仪表盘显示模块中的固件和图形资源，得益于其宽温特性和AEC-Q100认证，能在极端环境下稳定运行。
　　在网络与通信设备中，该芯片被用作路由器、交换机、光模块的引导闪存，用于存放Bootloader、操作系统镜像和配置文件，其高速QSPI接口支持XIP（就地执行），无需将代码复制到RAM即可直接运行，节省内存资源并加快启动速度。
　　在工业自动化领域，S25FS512S常见于PLC控制器、HMI人机界面、工业网关和远程IO模块中，承担程序存储和参数记录任务。其高耐用性和抗干扰能力确保长时间无故障运行。
　　消费类电子产品如智能电视、机顶盒、打印机和扫描仪也采用该芯片来存储启动代码和用户界面资源。此外，在医疗设备、测试仪器和航空电子系统中，因其高可靠性和长期供货保障，也成为首选的非易失性存储解决方案之一。其小尺寸封装特别适合空间受限的设计，而高性能表现则满足了现代嵌入式系统对速度和稳定性的双重需求。

S25FS512SDAGMV101
　　S25FL512SAGMFV010
　　IS25WP512AJBLE