容量：128 Mbit (16 MB)
　　组织结构：每页256字节，共65536个可编程页
　　扇区大小：4 KB（小扇区）和 64 KB（大扇区）
　　接口类型：SPI / QSPI 支持单/双/四线模式
　　时钟频率：最高支持 104 MHz（四 I/O 快速读取）
　　工作电压：2.7 V ~ 3.6 V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C（工业级）
　　封装类型：8-Pin SOIC 或 WSON
　　写使能/禁止：支持软件和硬件写保护
　　支持的指令集：JEDEC 标准指令，支持 RESET、READ ID、WRITE ENABLE/DISABLE 等
　　读取延迟：无连续模式下的地址延迟，支持快速读取模式
　　编程时间：典型值为 0.7 ms/页（256 字节）
　　擦除时间：典型值为 40 ms/4KB 扇区，200 ms/64KB 块
　　耐久性：每个扇区可进行多达 100,000 次编程/擦除循环
　　数据保持时间：在正常工作条件下可保持数据超过 20 年

S25FL128SAGMFA000 具备多项先进特性，确保其在复杂嵌入式环境中的高效运行和长期可靠性。首先，它支持多种I/O操作模式，包括标准SPI（Single I/O）、Dual Output/IO 和 Quad Output/IO，极大提升了数据传输速率。在四线快速读取模式下，配合104MHz的时钟频率，可实现高达416 Mbps的吞吐量，显著缩短系统启动时间和固件加载延迟，特别适用于需要XIP（eXecute In Place）的应用场景。
　　其次，该器件具备灵活的存储架构设计，包含多个4KB的小扇区和64KB的大块区域，允许用户根据实际需求进行细粒度或批量擦除操作，优化了存储管理效率并减少了不必要的磨损。这种混合扇区结构对于既要频繁更新小段配置数据又要整体升级固件的系统尤为有利。
　　再者，S25FL128SAGMFA000 集成了全面的保护机制。除了通过WP#引脚实现硬件写保护外，还支持基于状态寄存器的软件写保护功能，可对部分或全部存储空间进行锁定，防止意外修改。同时，支持深度掉电模式（Deep Power-down Mode），在此模式下电流消耗可降至几微安级别，非常适合电池供电或低功耗应用场景。
　　此外，该芯片符合工业级和汽车级可靠性标准，具有出色的抗干扰能力和长期数据保持能力，在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定工作，适合部署于严苛环境中。其制造工艺采用先进的浮栅技术，确保编程和擦除操作的高度一致性，并通过严格的测试流程保证出厂良率和批次稳定性。
　　最后，S25FL128SAGMFA000 支持与主流MCU和SoC平台无缝对接，兼容常见的引导加载程序和实时操作系统（RTOS），并提供完整的数据手册、应用笔记和技术支持资源，便于开发者快速完成硬件设计和固件开发。

S25FL128SAGMFA000 广泛应用于多个高要求的电子系统中。在工业控制领域，常用于PLC控制器、HMI人机界面、工业网关等设备中作为固件存储和参数保存介质，因其具备宽温工作能力和抗电磁干扰特性，可在恶劣工厂环境中可靠运行。在网络通信设备中，如路由器、交换机、IoT网关等，该芯片用于存放Bootloader、操作系统镜像和配置文件，利用其高速QSPI接口实现快速启动和动态数据访问。
　　在汽车电子方面，尽管该型号非AEC-Q100认证版本，但仍可用于部分车载信息娱乐系统（IVI）、远程信息处理单元（Telematics）和ADAS辅助模块中，用于存储地图数据、语音资源或传感器校准参数。在消费类电子产品中，如智能电视、机顶盒、智能家居中枢等，S25FL128SAGMFA000 可承载主控MCU的执行代码，支持XIP模式直接从闪存运行程序，节省RAM资源并提升响应速度。
　　此外，在医疗设备、测试仪器和便携式终端中，该芯片也发挥着重要作用，例如用于存储设备固件、用户设置、日志记录以及安全密钥等关键信息。得益于其低功耗待机模式和高耐久性，特别适合需要长期无人值守运行且偶尔进行固件更新的设备。结合其成熟的技术生态和广泛的第三方支持，S25FL128SAGMFA000 成为许多嵌入式开发者首选的串行NOR Flash解决方案之一。

S25FL128SAGBHI010
　　S25FL129PGBHI000
　　MT25QL128ABA1EW7
　　W25Q128JVSIQ
　　EN25Q128B