ESDBN4V5D3 是一款基于硅材料制造的高速瞬态抑制二极管(TVS 二极管),主要用于电路中的过电压保护。该器件具有快速响应时间、低电容和高浪涌电流承受能力,能够有效保护敏感电子设备免受雷击、静电放电(ESD)和其他瞬态电压脉冲的影响。
该型号属于半导体制造商常见的 TVS 二极管系列,通常被设计用于数据线、信号线以及电源线的保护应用中。
最大反向工作电压:4.3V
击穿电压:4.9V
最大箝位电压:7.8V
峰值脉冲电流:36A
响应时间:1ps
结电容:20pF
漏电流:1uA(最大值,@VRWM)
封装类型:SOD-323
ESDBN4V5D3 具有以下显著特性:
1. 快速响应时间,能够在皮秒级别内对瞬态电压做出反应,从而提供高效的保护。
2. 低电容设计,使其非常适合高频信号线路的保护,不会对信号完整性造成明显影响。
3. 高浪涌电流承受能力,可应对高达 36A 的峰值脉冲电流,保证在极端情况下的可靠性。
4. 小型化封装 SOD-323,节省 PCB 空间,便于在紧凑型设计中使用。
5. 符合 RoHS 标准,环保且适用于现代绿色电子产品的要求。
ESDBN4V5D3 广泛应用于各种需要过电压保护的场景,包括但不限于:
1. 数据通信接口保护,例如 USB、HDMI 和以太网端口。
2. 移动设备和消费类电子产品中的 ESD 保护。
3. 工业自动化设备中的信号线保护。
4. 汽车电子系统中的瞬态电压抑制。
5. 物联网(IoT)设备中的敏感元件防护。
ESDLC4V5M3T, PESD5V0R1BAB, SM4V5A