BUK952R3-40E 时间：2025/7/8 20:01:28 阅读：9

BUK952R3-40E 是一款 N 沟道增强型功率（onsemi）生产。该器件采用 DPAK 封装，适用于高效率开关应用和负载切换等场景。其低导通电阻和快速开关性能使其成为电源管理、电机驱动和其他功率转换应用的理想选择。
　　BUK952R3-40E 的最大漏源电压为 40V，能够处理高达 86A 的脉冲电流，并具有低至 2.7mΩ 的典型导通电阻（在 Vgs=10V 时）。这些特性使得该 MOSFET 在降低功耗和提高系统效率方面表现出色。

参数

最大漏源电压：40V
　　连续漏极电流：33A
　　脉冲漏极电流：86A
　　栅极电荷：10nC
　　导通电阻（典型值，Vgs=10V）：2.7mΩ
　　开关时间：ton=13ns, toff=35ns
　　工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装类型：TO-263 (DPAK)

特性

1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低传导损耗。
　　2. 快速的开关速度，适合高频开关应用。
　　3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
　　4. 超薄型 DPAK 封装，有助于节省 PCB 空间。
　　5. 宽温度范围支持，能够在恶劣环境下稳定运行。
　　6. 具备出色的热性能，能够有效散热以提高功率密度。
　　7. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代设计要求。

应用

1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
　　2. DC-DC 转换器，包括降压和升压拓扑。
　　3. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机或步进电机。
　　4. 电池保护和负载切换。
　　5. 工业自动化设备中的功率级开关。
　　6. LED 驱动器和汽车电子系统中的功率管理模块。
　　7. 其他需要高效功率转换和低损耗开关的应用场景。