制造商：Infineon Technologies
　　系列：S25FL
　　存储容量：128 Mbit
　　存储类型：NOR 闪存
　　存储器组织：16 MB (262,144 x 64-bit words)
　　接口类型：SPI, Quad SPI
　　时钟频率：最高支持104 MHz（Dual/Quad SPI模式下）
　　供电电压：2.7V 至 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：8-WSON (5mm x 6mm)
　　引脚数：8
　　写使能/禁止功能：支持
　　状态寄存器保护：支持软件和硬件写保护
　　擦除时间：典型值为2.3秒（全片擦除）
　　编程时间：每页（256字节）约0.7ms
　　待机电流：典型值为15 μA
　　工作电流：读取模式下典型值为18 mA
　　可靠性：10万次编程/擦除周期，数据保持时间长达20年

S25FL128P0XMFI011具备多项先进的电气和功能特性，使其在复杂嵌入式环境中表现出色。首先，它支持标准SPI模式（Single I/O）以及Dual和Quad SPI操作，在Quad SPI模式下可实现高达416 Mbps的理论吞吐率（104 MHz × 4位），显著提升了数据读取速度，尤其适用于需要快速启动或频繁访问代码的应用，如XIP（eXecute In Place）系统。此外，该器件提供灵活的块架构，包含多个可独立擦除的扇区（每个大小为4KB）和更大的块（64KB），允许精细的数据管理与高效的空间利用。
　　该芯片内置增强型可靠性设计，包括ECC（错误校验与纠正）机制、耐用性优化算法和先进的电荷泵技术，确保在恶劣环境下的长期稳定运行。其支持硬件和软件写保护功能，能够通过状态寄存器锁定部分或全部存储区域，防止因电源波动或程序异常导致的关键数据被误擦写。同时，器件还集成了上电复位（Power-on Reset）检测电路，保证每次上电后处于已知的安全状态。
　　另一个关键特性是宽电压工作范围（2.7V–3.6V），兼容主流3.3V系统电源轨，并具备低功耗管理模式，支持深度省电模式（Deep Power-down Mode），在此模式下电流消耗可降至几微安级别，非常适合电池供电或对能耗敏感的应用。此外，S25FL128P0XMFI011符合工业级温度规范（-40°C至+85°C），可在极端温度条件下可靠运行，满足工业自动化和车载电子的严苛要求。所有这些特性共同构成了一个高性能、高可靠性的串行闪存解决方案。

S25FL128P0XMFI011广泛应用于需要高可靠性、中等容量和快速读取能力的嵌入式系统中。其典型应用场景包括工业控制器中的固件存储，用于存放操作系统映像、配置参数和用户程序代码，支持从闪存直接执行指令（XIP），从而减少对外部RAM的依赖，降低系统成本。在网络通信设备如路由器、交换机和光模块中，该芯片可用于存储启动代码、设备驱动和网络协议栈，凭借其高速Quad SPI接口实现快速启动和实时响应。
　　在汽车电子领域，S25FL128P0XMFI011常用于ADAS（高级驾驶辅助系统）、仪表盘显示模块、车载信息娱乐系统（IVI）和远程信息处理单元，作为存储图形资源、语音提示文件和传感器校准数据的非易失性介质。由于其具备工业级温度适应性和长期数据保持能力，也适用于户外监控摄像头、智能电表、医疗仪器等长时间无人值守的设备。
　　此外，该器件还可用于消费类电子产品，如智能家居网关、Wi-Fi模组、打印机固件存储等，特别是在需要小封装尺寸和低功耗特性的便携式设备中表现优异。其成熟的生态系统和广泛的开发工具支持（包括编程器、调试接口和驱动库）进一步加速了产品开发周期，使其成为众多设计师首选的串行NOR Flash器件之一。

S25FL128L0XNFI020
　　S25FL129P0XMCY010
　　S25FL128P10XMFI003
　　CY15B104Q5