时间：2025/5/28 11:41:22
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FV21N820J102ECG 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由知名半导体制造商生产。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力等特性，广泛适用于各种功率转换和控制应用。
这款 MOSFET 的封装形式为 TO-252 (DPAK)，适合表面贴装技术（SMT），从而节省空间并提高组装效率。其设计优化了热性能和电气性能，能够满足现代电子设备对高效能和可靠性的要求。
最大漏源电压：820V
连续漏极电流：2.1A
导通电阻（典型值）：6.5Ω
栅极电荷：30nC
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
功耗：2.9W
封装：TO-252 (DPAK)
FV21N820J102ECG 具有以下显著特点：
1. 极高的击穿电压（820V），确保在高压环境下的稳定运行。
2. 超低的导通电阻（6.5Ω 典型值），降低了传导损耗。
3. 快速开关能力，支持高频操作，适合开关电源和电机驱动等应用。
4. 紧凑的 DPAK 封装，便于表面贴装和自动化生产。
5. 优秀的热特性和可靠性，能在极端温度条件下保持性能。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合长期使用。
FV21N820J102ECG 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. 逆变器电路中的关键组件，用于光伏系统或不间断电源（UPS）。
3. 电机驱动和控制电路，尤其是小型直流电机或步进电机的应用。
4. 电池保护和管理系统，例如电动车或储能设备中的过流保护。
5. 各类工业控制设备中的功率调节和信号切换。
6. 高压 LED 驱动电路和其他需要高压开关的场景。
FV21N820J102ECB, FV21N820J102ECA, IRF820
