制造商：Infineon Technologies
　　产品系列：S25FL
　　存储容量：128 Mbit
　　组织结构：16 MB (262,144 x 64)
　　电源电压：1.7V ~ 1.95V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　接口类型：SPI, QPI
　　时钟频率：最高104 MHz
　　编程/擦除耐久性：100,000 次
　　数据保持时间：> 20 年
　　封装/外壳：WSON-8
　　引脚数：8
　　读取带宽：单线、双输出、双输入/输出、四输入/输出模式
　　写保护功能：软件和硬件WP#引脚
　　休眠电流：≤ 1 μA
　　工作电流：≤ 12 mA（典型值）
　　存储器格式：非易失性 NOR Flash
　　页大小：256 字节
　　扇区大小：4 KB
　　块大小：64 KB
　　是否支持JEDEC标准：是
　　是否支持SFDP：是

S25FL127SABNFI101具备多项先进特性，使其在同类NOR Flash产品中脱颖而出。
　　首先，该芯片采用1.8V单电源供电设计，相较于传统的3.3V器件显著降低了功耗，特别适合电池供电或低功耗系统应用。其内部架构支持高效的命令协议，兼容JEDEC标准指令集，并支持SFDP（Serial Flash Discoverable Parameters），允许主机系统自动识别闪存参数，简化了系统初始化过程。
　　其次，S25FL127SABNFI101支持多种读取模式，包括标准SPI、Dual Output/Dual I/O Fast Read以及Quad I/O Fast Read模式，在104MHz时钟下，Quad I/O模式可实现等效于416Mbps的数据吞吐率，极大提升了系统启动速度和代码执行效率，尤其适用于XIP（eXecute In Place）应用场景。
　　该器件还提供灵活的保护机制，用户可通过状态寄存器设置顶部或底部扇区的写保护区域，同时支持硬件写保护（WP#引脚），有效防止关键固件被误擦除或篡改。此外，芯片内置上电复位电路（Power-on Reset），确保每次上电都能进入确定的状态，提高系统可靠性。
　　S25FL127SABNFI101支持全芯片擦除和按扇区、块进行的局部擦除操作，配合256字节的编程页大小，实现了精细的数据管理能力。其高耐久性（10万次P/E周期）和长期数据保持能力（超过20年）使其适用于需要频繁更新且长期可靠运行的工业与通信设备。
　　该器件符合RoHS环保标准，采用无铅WSON-8封装，热性能良好，便于在高密度PCB布局中使用。整体而言，S25FL127SABNFI101是一款集高性能、低功耗、高可靠性和强安全性于一体的串行NOR闪存解决方案。

S25FL127SABNFI101广泛应用于多个高性能嵌入式系统领域。
　　在通信基础设施中，它常用于路由器、交换机和基站设备中作为Boot Code存储器，利用其高速Quad I/O读取能力实现快速启动和实时固件加载。
　　在工业自动化控制系统中，该芯片用于存储PLC程序、配置参数及校准数据，得益于其宽温工作范围和高抗干扰能力，可在恶劣工业环境中稳定运行。
　　消费类电子如高端智能家居网关、物联网网桥设备也采用此芯片来存储操作系统映像和安全密钥，支持安全启动流程。
　　在网络存储设备（NAS）、IP摄像头等安防类产品中，S25FL127SABNFI101用于存放引导程序和加密固件，保障系统完整性。
　　此外，在测试测量仪器、医疗电子设备以及车载信息娱乐系统的辅助控制器中，该器件因其高可靠性与长期供货保证而受到青睐。
　　由于其支持XIP（就地执行）模式，许多基于ARM Cortex-M系列或其他微控制器的系统将其用作外部代码存储器，直接从闪存执行程序，减少对内部Flash的依赖并扩展可用资源。
　　总之，凡是需要高速、可靠、低功耗非易失性存储的嵌入式应用场景，S25FL127SABNFI101都是一个理想选择。

S25FL127SABBHI101
　　S25FL128LAFMFI010
　　S25FL129CGAMHI010
　　MT25QL128ABA1EW7