时间：2025/5/8 11:18:40
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BSZ215CH是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN33-8封装形式。该器件适用于需要低导通电阻和高效率的应用场景，例如负载开关、DC-DC转换器、电机驱动和电源管理等电路中。其主要特点是具有较低的导通电阻以及优秀的开关性能，能够显著降低功率损耗并提高系统效率。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：6.4A
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
栅极电荷：17nC
反向恢复时间：29ns
工作结温范围：-55℃至150℃
BSZ215CH具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可以有效减少传导损耗。
2. 高效的开关性能，适合高频应用。
3. 小尺寸PDFN33-8封装，有助于节省PCB空间。
4. 较宽的工作温度范围，适应多种环境条件。
5. 良好的热稳定性和可靠性，可长期在高温环境下工作。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
该器件广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备领域，具体包括：
1. 移动设备中的负载开关。
2. DC-DC转换器和降压升压电路。
3. USB充电端口保护。
4. 各类便携式电子产品中的电池管理。
5. 电机驱动及小型化电源解决方案。
6. 照明系统的调光与调色控制。
BSC016N06NS, BSS84P
