制造商：Infineon Technologies
　　系列：S25FL
　　存储容量：64Mb
　　存储类型：NOR 闪存
　　接口类型：SPI, QSPI
　　时钟频率：104 MHz
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装/外壳：8-SOIC
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　写保护功能：支持（WP#引脚）
　　保持功能：支持（HOLD#引脚）
　　封装类型：表面贴装型

S25FL064LABMFA013具备多项先进的电气与功能特性，使其在同类串行闪存产品中具有显著优势。首先，该芯片支持标准SPI模式下的单线通信，同时也兼容双输出（Dual Output）、双输入/输出（Dual I/O）、四输出（Quad Output）以及四输入/输出（Quad I/O）模式，极大提升了数据吞吐率。在QPI（Quad Peripheral Interface）模式下，可实现全双工高速通信，最高时钟频率可达104MHz，读取数据速率理论值可达416MB/s（在四路传输时每周期4位），满足对实时性要求较高的应用场景需求。芯片内部采用分层架构设计，存储阵列被划分为多个可独立擦除的扇区（每个扇区大小为4KB）、大块（64KB）和整片擦除功能，支持粒度化的存储管理，有助于延长器件寿命并优化写入效率。
　　其次，S25FL064L内置高可靠性浮栅技术，保证了出色的耐久性和数据保持能力。其典型擦写次数（Endurance）可达10万次以上，数据保存时间在常温下超过20年，适用于长期运行且需要频繁更新固件或日志数据的系统。为了提升系统安全性，该器件提供多层级写保护机制：可通过软件指令设置状态寄存器中的保护位，锁定特定地址区域；同时支持通过外部WP#引脚实现硬件写保护，在系统异常或上电过程中防止非法写入。此外，还支持临时解除保护和永久锁定（OTP）功能，增强配置信息的安全防护。
　　再者，该芯片集成了先进的电源管理机制，支持低功耗待机模式和深度功率-down模式，典型待机电流低于1μA，显著降低系统整体功耗，特别适用于电池供电或节能型设备。器件还具备上电复位（Power-on Reset）检测电路，确保在电源不稳定时不会误操作。所有指令均通过标准化命令集控制，兼容JEDEC规范，方便开发者进行固件移植和驱动开发。最后，S25FL064LABMFA013通过AEC-Q100汽车级认证，具备优异的抗干扰能力和环境适应性，可在严苛的工业与车载环境中可靠运行。

S25FL064LABMFA013因其高性能、高可靠性和小尺寸封装，被广泛应用于多个领域。在工业自动化领域，它常用于PLC控制器、HMI人机界面、工业网关和传感器模块中，用于存储操作系统引导程序、应用程序代码和配置参数。在网络通信设备中，如路由器、交换机和光模块，该芯片承担Boot Code存储任务，支持快速启动和远程固件升级（FOTA）。在汽车电子方面，适用于仪表盘、ADAS辅助驾驶系统、车载信息娱乐系统（IVI）和车身控制模块，满足车规级对温度、振动和长期稳定性的严格要求。消费类电子产品如智能电视、机顶盒、打印机和智能家居中枢也普遍采用该型号进行固件存储。此外，在物联网终端设备中，例如无线传感器节点、LoRa模块和边缘计算单元，其低功耗特性和小体积优势尤为突出。得益于其QSPI高速接口，还能用于图形缓存、音频缓冲等需要快速读取的场景。总体而言，凡是需要非易失性、快速访问、可重复编程且空间受限的嵌入式系统，S25FL064LABMFA013都是理想的选择。

S25FL064LAFMF000
　　S25FL064LAMF1010
　　S25FL164KGMFIA11
　　MT25QL064ABA1EW9-OSIT
　　IS25LP064A-JBLE