时间：2025/5/22 20:27:37
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HMC-ALH369 是一种高性能的砷化镓（GaAs）赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT），专为低噪声和高增益应用而设计。该器件通常用于微波射频领域，例如无线通信、雷达系统以及测试测量设备中。它具有优异的小信号增益特性、低噪声系数以及良好的线性性能。
HMC-ALH369 采用无引线表面贴装封装形式，支持宽频带操作，同时具备高可靠性与稳定性。其典型工作频率范围覆盖了 DC 至 18 GHz 的区间，能够满足多种高频电路需求。
最大功率耗散：250mW
栅极宽度：2×75μm
输入匹配网络：DC - 4GHz
输出匹配网络：DC - 12GHz
工作电压：+2V to +5V
静态电流：40mA
增益：15dB（典型值）
噪声系数：1.0dB（典型值）
频率范围：DC - 18GHz
封装类型：SOT-363
HMC-ALH369 具备以下显著特性：
1. 高增益：在广泛的频率范围内提供稳定的增益表现。
2. 低噪声：优化设计以实现低于 1 dB 的噪声系数，非常适合接收机前端等对噪声敏感的应用。
3. 宽带操作：从直流到 18 GHz 的宽频率范围使其适用于多种高频场景。
4. 稳定性：即使在极端温度条件下也表现出色，确保长期可靠性。
5. 表面贴装：小型化封装有助于节省 PCB 空间并简化装配流程。
6. 易于集成：无需额外的外部匹配组件即可直接嵌入射频设计中。
HMC-ALH369 广泛应用于以下领域：
1. 射频放大器：
- 微波点对点通信系统
- 卫星通信终端
2. 测试与测量：
- 频谱分析仪
- 矢量网络分析仪
3. 军事与航空航天：
- 相控阵雷达
- 电子对抗系统
4. 无线基础设施：
- 基站放大器
- 回传链路设备
5. 科学研究：
- 高速数据采集系统
- 天文观测仪器
HMC_ALH339, HMC_ALH379
