时间：2025/7/15 18:38:18
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S24DE150R5 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET器件，属于STripFET? F7系列。该器件采用先进的沟槽栅技术，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，适用于高效率、高功率密度的电源应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：150V
最大连续漏极电流(ID)：80A（在TC=25℃时）
导通电阻(RDS(on))：5mΩ（最大值，在VGS=10V时）
栅极电荷(Qg)：93nC（典型值）
封装形式：PowerFLAT 5x6 HV
S24DE150R5 的核心优势在于其低导通电阻与高效的热管理能力。其RDS(on)最大值仅为5毫欧姆，在高负载条件下能够显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件采用了优化设计的封装结构，具有良好的热性能和可靠性。
这款MOSFET具备优异的雪崩能量承受能力，增强了其在高压尖峰环境中的稳定性。其栅极驱动电路的设计也相对简单，兼容标准逻辑电平驱动器，简化了外围电路的设计复杂度。
另外，S24DE150R5 在高频开关应用中表现突出，能够有效减少开关损耗，提升整体系统的响应速度和效率。同时，其紧凑的PowerFLAT封装使其适用于空间受限的应用场景，并支持表面贴装工艺，提高了制造效率。
S24DE150R5 广泛应用于各类高性能功率转换系统中，例如DC-DC转换器、同步整流器、电动工具、工业自动化设备以及电池管理系统等。由于其出色的导通特性和高频工作能力，它也非常适合用于服务器电源、电信基础设施以及电动汽车充电模块等对效率和体积要求较高的应用场景。
此外，该器件还可用于电机控制、电源管理单元和太阳能逆变器等领域，提供可靠的功率切换功能。
IPB015N15N3G, IPP150R005CFXKSA1
