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S2012DTP 发布时间 时间:2025/12/26 22:47:55 查看 阅读:8

S2012DTP是一款由赛米控(SEMIX)推出的高性能、高可靠性的功率模块,广泛应用于工业电机驱动、可再生能源系统以及电动汽车等高功率密度场景。该模块属于IGBT(绝缘栅双极型晶体管)功率模块系列,采用先进的封装技术,具备优良的热性能和电气性能,适用于中高功率等级的逆变器和变换器系统。S2012DTP集成了多个IGBT芯片和续流二极管,采用直接键合铜(DBC)基板结构,提升了散热效率和长期运行的稳定性。该模块支持并联和多相应用,具有较低的寄生电感和良好的均流能力,适合在高温、高湿和高振动等恶劣环境下工作。其紧凑的设计有助于减小系统体积,提高功率密度,是现代电力电子系统中的关键组件之一。

参数

型号:S2012DTP
  制造商:SEMIX(赛米控)
  器件类型:IGBT功率模块
  额定电压:1200V
  额定电流:200A(每单元)
  拓扑结构:六单元全桥(6-in-1)
  开关频率:最高可达50kHz(取决于散热条件)
  工作结温范围:-40°C 至 +150°C
  隔离电压:≥2500VAC(1分钟)
  热阻(Rth(j-c)):0.18°C/W(典型值)
  封装形式:半桥/全桥模块,带螺钉安装底板
  引脚数:17引脚(标准SEMIX封装)
  栅极驱动电压:±15V(推荐)
  最大功耗:300W(具体取决于冷却方式)

特性

S2012DTP功率模块具备多项先进特性,使其在高功率电力电子应用中表现出色。首先,其采用优化的IGBT芯片技术,实现了低导通压降和快速开关切换,显著降低了开关损耗和导通损耗,从而提高了整体系统效率。该模块内部集成的续流二极管具有软恢复特性,有效抑制了反向恢复过程中的电压尖峰和电磁干扰(EMI),提升了系统的电磁兼容性。此外,模块采用直接键合铜(DBC)陶瓷基板,具有优异的热导率和机械强度,能够在长时间高负载运行下保持稳定的热性能,延长使用寿命。
  S2012DTP还具备出色的电气隔离能力,其陶瓷基板与铜层之间的结合强度高,能够承受多次热循环而不发生分层或开裂,确保在频繁启停和温度变化剧烈的应用中仍能可靠运行。模块的封装设计符合国际安全标准,提供高达2500VAC的电气隔离电压,适用于需要高安全等级的工业设备。其低寄生电感布局减少了开关过程中的电压过冲,保护了IGBT免受损坏,同时提高了系统的动态响应能力。
  该模块支持模块化设计,便于系统扩展和维护。其标准化的外形尺寸和安装孔位使得在不同设备间的替换和升级更加便捷。S2012DTP还具备良好的可焊性和连接可靠性,适用于自动焊接和手工装配工艺。模块表面镀层经过特殊处理,抗腐蚀能力强,适合在潮湿、粉尘较多的工业环境中长期使用。此外,制造商提供了完整的数据手册、应用指南和热仿真模型,便于工程师进行系统设计和热管理优化。

应用

S2012DTP广泛应用于多种高功率电力电子系统中。在工业领域,它常用于通用变频器、伺服驱动器和大功率电机控制设备中,作为主逆变电路的核心元件,实现对交流电机的精确调速和高效控制。在可再生能源系统中,该模块被用于光伏逆变器和风力发电变流器,将直流电高效转换为并网交流电,支持清洁能源的稳定输出。在电动汽车和轨道交通领域,S2012DTP可用于车载充电机(OBC)、辅助逆变器和牵引变流器,满足高功率密度和高可靠性的需求。此外,该模块也适用于不间断电源(UPS)、感应加热设备和电能质量治理装置等高端工业电源系统。由于其宽温区工作能力和良好的热稳定性,S2012DTP特别适合部署在户外或环境条件恶劣的场合。其模块化设计也便于构建多电平和并联功率系统,适应从几十千瓦到数百千瓦的不同功率等级需求。

替代型号

SEMIX201GB12T4s7

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S2012DTP参数

  • 标准包装750
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭SCR - 单个
  • 系列-
  • SCR 型标准恢复型
  • 电压 - 断路200V
  • 电压 - 栅极触发器 (Vgt)(最大)1.5V
  • 电压 - 导通状态 (Vtm)(最大)1.6V
  • 电流 - 导通状态 (It (AV))(最大)7.6A
  • 电流 - 导通状态 (It (RMS))(最大)12A
  • 电流 - 栅极触发电流 (Igt)(最大)20mA
  • 电流 - 维持(Ih)40mA
  • 电流 - 断开状态(最大)10µA
  • 电流 - 非重复电涌,50、60Hz (Itsm)100A,120A
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252,(D-Pak)
  • 包装管件