制造商：Qorvo
　　产品类型：RF 功率晶体管
　　技术类型：GaN on SiC
　　工作频率范围：2.4 GHz - 2.5 GHz
　　输出功率（Pout）：200 W（典型值）
　　增益：18 dB（典型值）
　　漏极电压（Vd）：28 V
　　效率：65%（典型值）
　　封装类型：螺栓式陶瓷封装
　　输入/输出阻抗：50 Ω
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　RoHS 状态：符合 RoHS
　　连续波/脉冲操作：支持

Q24FA20H00247 采用先进的 GaN on SiC 工艺技术，使其在高频高功率应用场景下表现出卓越的性能。GaN 材料本身具有高电子迁移率、高击穿电场强度和优异的导热性能，使得该器件能够在较高的电压和电流密度下稳定工作，同时保持较低的功耗和发热。相比于传统的硅基 LDMOS 晶体管，GaN 器件在相同尺寸下可实现更高的输出功率和效率，显著提升了功率密度，这对于空间受限或需要轻量化的系统尤为重要。
　　该晶体管的工作频率覆盖 2.4 GHz 到 2.5 GHz，正好处于 ISM 频段内，广泛应用于无线能量传输、工业加热、医疗消融设备以及 5G 固定无线接入基站等场景。其高达 200W 的输出功率和 65% 的典型效率意味着在长时间运行时仍能维持良好的热管理状态，减少冷却系统的负担。此外，18dB 的高增益减少了前级驱动级的设计复杂性，允许使用较小信号的激励源即可达到满功率输出，从而降低整个射频链路的成本与功耗。
　　Q24FA20H00247 采用坚固的陶瓷螺栓式封装，具备优良的机械稳定性和散热能力。这种封装可通过导热垫或直接焊接到底座上，有效将芯片产生的热量传导至散热器，确保结温控制在安全范围内。器件支持连续波（CW）和脉冲两种工作模式，适用于雷达发射机中的高脉冲功率需求场合。内置的输入和输出匹配网络优化了阻抗匹配效果，提高了系统的稳定性和驻波比（VSWR）耐受能力，即使在负载变化较大的情况下也能避免损坏。
　　该器件还具备良好的抗静电放电（ESD）能力和对失配负载的容忍度，增强了现场使用的鲁棒性。其工作温度范围从 -40°C 到 +150°C，可在极端环境条件下可靠运行，适用于户外通信设备、舰载雷达或航空航天系统。Qorvo 提供完整的应用参考设计、SPICE 模型和热仿真数据，帮助工程师快速完成系统集成与调试。

Q24FA20H00247 主要应用于需要高功率射频放大的系统中，包括但不限于：地面和机载雷达系统，用于目标探测与跟踪；卫星通信地球站发射模块，提供高线性度和高效率的上行链路信号放大；工业加热与等离子体生成设备，利用其在 2.45GHz ISM 频段的高效能量转换能力；医疗领域的肿瘤射频消融治疗仪器，实现精准的能量输送；以及 5G 宏基站和固定无线接入（FWA）系统中的功率放大单元。此外，也适用于电子战（EW）系统中的干扰发射机，因其具备宽带响应和高瞬时功率处理能力。该器件特别适合要求高可靠性、长寿命和恶劣环境适应性的军用和工业级应用。

QPD1025, MHT1001N