型号：S1L50282F23K100
　　制造商：Samsung
　　产品类型：LPDDR4X SDRAM
　　存储容量：512Mb x 16bit x 2 Bank Group（总容量约16Gb）
　　组织结构：8Gbx2
　　电压 - 核心：1.1V
　　电压 - I/O：1.8V
　　时钟频率：最高支持1066MHz（数据速率2133Mbps）
　　数据速率：2133 Mbps per pin (x16 configuration)
　　工作温度：-20°C 至 +85°C（商业级）
　　封装类型：FBGA, 204-ball
　　引脚间距：0.5mm
　　接口类型：CMOS
　　刷新模式：自动/自刷新
　　突发长度：BL8, TC=4 or BC8
　　bank group：2 groups
　　内部预取：8n prefetch
　　访问时间：典型值约15ns
　　写入延迟：支持可编程设置
　　初始化时间：上电后需执行标准初始化序列

S1L50282F23K100具有多项先进的技术特性，使其在低功耗与高性能之间实现良好平衡。
　　首先，该芯片基于LPDDR4X标准设计，采用了双倍数据率（DDR）技术，在每个时钟周期的上升沿和下降沿均可传输数据，显著提升了数据吞吐能力。其最大数据速率达到2133 Mbps每引脚，配合x16位宽配置，可为系统提供高达42.6 GB/s的理论带宽（双通道合计），充分满足高端移动处理器对内存带宽的需求。同时，通过引入更低的核心电压（1.1V VDD/VDDQ），相比传统LPDDR4进一步降低功耗，特别适合电池供电设备。
　　其次，S1L50282F23K100支持Bank Group架构，具备两个独立的Bank Group，允许在不同组间进行快速切换而无需额外延迟，从而提高连续访问效率，尤其在多任务处理或图形渲染等高并发场景下表现优异。这种架构支持更高的有效带宽利用率，并减少命令冲突。
　　再者，该器件具备完善的电源管理机制，包括自刷新模式（Self-Refresh）、深度掉电模式（Deep Power Down Mode）以及动态频率切换功能。在待机或轻负载状态下，控制器可将芯片置入低功耗状态，大幅削减静态电流消耗。此外，还支持温度补偿自刷新（Temperature Compensated Self Refresh, TCSR），根据环境温度调整刷新周期，避免高温下因过度刷新造成的能耗浪费。
　　最后，S1L50282F23K100采用204球FBGA封装，尺寸小巧，符合高密度PCB布局需求。封装材料具备优良的热导性和机械稳定性，有助于提升系统可靠性。器件内部集成阻抗匹配电路和ODT（On-Die Termination），减少信号反射，改善高速信号完整性。整体设计符合RoHS环保标准，适用于全球范围内的消费类电子产品制造。

S1L50282F23K100广泛应用于各类高性能、低功耗的便携式电子设备中。其主要应用场景包括智能手机和平板电脑，作为主内存配合应用处理器运行操作系统和应用程序，提供流畅的用户体验。在这些设备中，高带宽和低延迟是保证多任务处理、高清视频播放、大型游戏运行的关键因素，而该芯片的LPDDR4X特性恰好满足这些需求。
　　此外，该器件也常见于嵌入式系统和工业控制设备中，例如智能POS机、车载信息娱乐系统（IVI）、工业HMI（人机界面）终端等，这些系统对稳定性和长期可用性要求较高，S1L50282F23K100的宽温工作能力和可靠封装为此类应用提供了保障。
　　在物联网（IoT）网关、AI边缘计算模块以及智能摄像头等新兴领域，随着处理能力的增强，对本地内存容量和速度的要求也在不断提升，S1L50282F23K100凭借其高集成度和节能特性成为理想选择。
　　同时，由于其兼容主流SoC平台（如高通骁龙、三星Exynos、联发科天玑系列等），该芯片常被用于参考设计和量产机型中，缩短产品开发周期。在测试与验证环境中，它也被用作标准内存组件进行系统性能评估和功耗分析。

S1L50282F23K100