型号：S1H0J646B2T3100
　　制造商：Samsung
　　产品类型：eMMC 5.1 嵌入式存储器
　　存储容量：64GB
　　接口标准：eMMC 5.1
　　工作电压：1.8V
　　最大时钟频率：200MHz
　　数据总线宽度：8位
　　顺序读取速度：最高约310MB/s
　　顺序写入速度：最高约220MB/s
　　随机读取IOPS：约25K
　　随机写入IOPS：约6K
　　工作温度范围：-25°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：BGA 169-pin
　　封装尺寸：约11.5mm x 13.0mm x 1.2mm
　　NAND类型：Toggle Mode NAND Flash
　　特性集：支持HPI（Host Performance Impact）模式、TRIM命令、Secure Erase、Write Protect等

S1H0J646B2T3100具备多项先进的技术特性，使其在同类嵌入式存储解决方案中表现出色。首先，该芯片采用了三星专有的Toggle Mode NAND闪存技术，相较于传统异步NAND，具有更高的传输速率和更低的延迟，能够在不增加功耗的前提下显著提升数据吞吐能力。其次，内置的智能控制器支持高效的FTL（Flash Translation Layer）算法，不仅实现了逻辑地址到物理地址的动态映射，还集成了高级磨损均衡（Wear Leveling）、坏块管理（Bad Block Management）和垃圾回收（Garbage Collection）机制，有效延长了器件的使用寿命并维持长期稳定的性能表现。
　　此外，S1H0J646B2T3100支持eMMC 5.1规范中的多种性能优化功能，例如HPI（Host Performance Impact）模式，允许主机在紧急情况下中断正在进行的操作以优先处理关键任务，提升了系统的响应能力和实时性。同时，它支持队列式读写命令处理，提高了多任务并发下的效率。在可靠性方面，该器件具备ECC（错误校正码）机制，可自动检测并纠正数据传输过程中的位错误，确保数据完整性。其内部还集成了电源管理单元，在突发断电或电压波动时能够安全保存缓存数据，防止文件系统损坏。
　　安全性方面，S1H0J646B2T3100支持多种安全指令集，包括写保护区域设置、安全擦除（Secure Erase）和永久写保护（Permanent Write Protection），可用于保护固件或敏感用户数据。此外，支持TRIM命令有助于操作系统及时释放无效数据块，减少写入放大效应，进一步提升性能和寿命。整个器件经过严格的老化测试和环境适应性验证，符合工业级工作温度要求，可在-25°C至+85°C范围内稳定运行，适用于复杂多变的使用环境。其小型化BGA封装也便于高密度PCB布局，满足现代便携设备对空间的严苛要求。

S1H0J646B2T3100广泛应用于各类需要高容量、高性能嵌入式存储的电子设备中。在消费类电子产品领域，它是智能手机和平板电脑的理想选择，能够支持大型应用程序、高清视频播放和多任务操作所需的高速数据读写需求。在物联网（IoT）设备中，如智能家居网关、网络摄像头和可穿戴设备，该芯片提供了可靠的本地存储能力，支持固件升级、日志记录和临时数据缓存等功能。
　　在汽车电子系统中，S1H0J646B2T3100可用于车载信息娱乐系统（IVI）、数字仪表盘和行车记录仪等模块，其宽温工作能力和高可靠性确保在极端气候条件下仍能正常运行。此外，在工业自动化和控制系统中，如工控机、HMI人机界面、POS终端和医疗设备，该存储芯片能够承受长时间连续运行和频繁读写操作，保障系统稳定性和数据持久性。
　　由于其标准化的eMMC接口和即插即用特性，S1H0J646B2T3100也常被用于开发板和嵌入式原型设计平台，方便工程师快速验证系统功能。对于需要批量部署且对供应链稳定性有要求的项目，三星作为全球领先的存储厂商，能够提供充足产能和技术支持，进一步增强了该型号在商业产品中的竞争力。