时间：2025/4/28 18:07:04
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FQP1N50是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor）生产。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景中，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合高频应用。
型号：FQP1N50
类型：N-Channel MOSFET
VDS（漏源极电压）：500V
RDS(on)（导通电阻）：1.8Ω（在VGS=10V时）
ID（连续漏极电流）：1.1A
fmax（最大工作频率）：3MHz
封装形式：TO-220
功耗：11W
FQP1N50的主要特性包括高耐压能力（500V）、较低的导通电阻以及良好的热性能。
FQP1N50的低导通电阻减少了传导损耗，从而提高了效率。同时，其快速开关特性和低栅极电荷使得它非常适合高频开关应用。
此外，TO-220封装提供了较好的散热性能，能够承受一定的功率损耗。
该器件还具有较高的雪崩击穿能量能力，增强了其在异常情况下的可靠性。
FQP1N50常用于多种电力电子领域，如开关电源中的功率转换级、逆变器电路、负载开关、继电器驱动以及电机控制等。
在开关电源中，FQP1N50可以作为主开关管使用，在高频条件下实现高效的功率转换。
此外，它也可以用于保护电路中，例如过流保护或短路保护开关。
IRF7414
STP1NK50Z
IXTH10N50P
