时间:2025/12/26 10:00:58
阅读:24
S1A-13是一种硅基标准恢复二极管,属于通用整流类半导体器件,广泛应用于低频、中小电流的电源转换和信号处理电路中。该器件采用先进的平面扩散工艺制造,具有可靠的电气性能和良好的热稳定性。S1A-13中的“S”通常代表硅(Silicon)材料,“1A”表示其额定正向电流为1安培,“-13”则对应其反向耐压等级为100V(部分厂商命名规则中数字13代表100V)。该二极管封装形式常见为DO-41或类似的轴向引线玻璃封装,具备良好的机械强度和散热能力,适合在通孔插装(THT)电路板上使用。S1A-13主要用于交流到直流的整流电路,如电源适配器、充电器、小型开关电源、消费类电子产品以及工业控制设备中的桥式整流模块。其结构为PN结二极管,工作原理基于单向导电特性:在正向偏置时导通,允许电流通过;在反向偏置时截止,阻止电流反向流动。由于其成本低廉、性能稳定且供货充足,S1A-13被广泛用于对效率要求不高的常规应用场合。此外,该器件具备一定的浪涌电流承受能力,能够在短时间内应对输入电压波动或启动冲击,增强了系统运行的可靠性。
类型:标准恢复二极管
最大重复反向电压(VRRM):100V
最大正向平均电流(IF(AV)):1A
峰值正向浪涌电流(IFSM):30A(8.3ms单半正弦波)
最大正向电压降(VF):1.1V @ 1A
最大反向漏电流(IR):5μA @ 100V,25°C
反向恢复时间(trr):典型值2μs
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C
封装形式:DO-41(轴向玻璃封装)
S1A-13二极管具备优良的电气与热性能表现,适用于多种常规整流应用场景。其核心特性之一是稳定的反向耐压能力,最大重复反向电压可达100V,确保在常见低压直流电源系统中具备足够的安全裕度,防止因瞬态电压或负载突变导致击穿失效。该器件的最大正向平均电流为1A,能够满足大多数小功率电源系统的持续导通需求,同时支持高达30A的非重复浪涌电流,使其在电源开机瞬间或电网波动情况下仍能保持可靠工作,避免因瞬时过流而损坏。
正向导通方面,S1A-13在1A电流下的典型正向压降为1.1V,虽略高于肖特基二极管,但在标准恢复二极管中属于正常水平,配合良好的散热设计可有效控制功耗与温升。反向漏电流在常温下不超过5μA,在高温环境下也保持较低水平,有助于减少待机状态下的能量损耗,提高整体系统效率。该器件的反向恢复时间约为2μs,属于标准恢复类型,不适用于高频开关电路(如SMPS中的续流二极管),但非常适合工频(50/60Hz)整流应用,例如全波或半波整流桥中的单个元件。
热性能方面,S1A-13的工作结温范围宽达-55°C至+150°C,适应恶劣环境条件下的长期运行。DO-41封装提供了良好的机械固定性和适度的散热能力,可通过PCB布线或加装散热片进一步提升热管理效果。此外,该器件符合RoHS环保标准,采用无铅或兼容无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子产品制造流程。整体而言,S1A-13以其高可靠性、低成本和广泛供货优势,成为基础电子设计中的常用选型之一。
S1A-13二极管主要应用于各类低频整流与电源转换场景。最常见的用途是在单相桥式整流电路中作为四个整流臂之一,将交流电压转换为脉动直流电压,广泛见于家用电器电源模块、LED驱动电源、小型充电器(如手机、电动工具充电器)及工业控制电源单元中。由于其1A的额定电流和100V的反向耐压,特别适合输入电压在70–120VAC范围内的应用,经过变压器降压后进行整流处理。
在信号处理电路中,S1A-13也可用作极性保护二极管,防止电源接反而损坏后续电路;或作为钳位二极管,限制电压尖峰,保护敏感元器件如MOSFET或IC控制器。此外,在继电器驱动电路中,它可作为续流二极管并联于线圈两端,吸收断电时产生的反向电动势,防止高压击穿驱动晶体管,从而延长设备寿命。
该器件还常用于电池充放电管理系统中,实现充放电路径隔离,防止电流倒灌;也可用于简单的DC-DC变换器前端整流级,或作为辅助电源的整流元件。由于其响应速度较慢(trr≈2μs),不适合高频开关电源(如>20kHz)的主整流或同步整流环节,但在工频或准工频(如音频相关电源)系统中表现稳定可靠。总体来看,S1A-13适用于对成本敏感、频率不高、功率适中的通用电子设备中,是基础模拟电路中不可或缺的基础元件之一。
1N4007
HER107
1N4004