类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极电流（Id）：75A
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：120V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

RCH875NP-121K 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得该器件在高电流应用中能够显著降低功耗并提高效率。该 MOSFET 在设计上采用了罗姆的先进沟槽技术，实现了更小的芯片尺寸和更高的电流密度，从而在紧凑的空间中提供更大的功率处理能力。
　　此外，该器件具有较高的热稳定性，能够在高温环境下保持良好的性能，适用于高负载和持续运行的应用场景。其最大漏极电流为 75A，漏极-源极击穿电压为 120V，适用于多种中高功率应用，如 DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统和电源管理模块等。
　　RCH875NP-121K 还具有良好的开关性能，能够在高频率下稳定运行，减少开关损耗。其栅极驱动电压范围较宽，支持标准的 10V 至 20V 驱动电压，兼容常见的 MOSFET 驱动器和控制器。此外，TO-263（D2PAK）封装形式提供了良好的散热性能，便于在 PCB 上安装和散热管理。

RCH875NP-121K 适用于多种功率电子系统，包括但不限于：
　　? DC-DC 转换器：用于通信设备、服务器和工业控制系统中的高效能电源转换模块。
　　? 电机控制：适用于电动工具、电动汽车和工业自动化设备中的电机驱动电路。
　　? 电池管理系统（BMS）：用于多节电池组的能量管理与保护电路。
　　? 负载开关与电源管理：用于笔记本电脑、平板电脑和智能设备中的高效电源管理模块。
　　? 逆变器与电源模块：适用于 UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和储能系统中的功率转换部分。

SiHF60N120E、IRFB4110、FDP8750、IPB075N12N3