时间：2025/4/27 14:54:47
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S19227PBICB是由Semiconductor Components Industries制造的一款高压MOSFET功率晶体管，该器件采用TO-263封装形式。它专为高电压、大电流的应用而设计，具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低能耗并提升系统效率。此功率MOSFET适用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及各类工业应用中的开关场景。
S19227PBICB的N沟道结构使其非常适合于负载开关、续流二极管替代及同步整流等用途，同时其耐高压能力确保了在恶劣工作条件下的可靠性。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：4A
栅极电荷：28nC
导通电阻（典型值）：1.6Ω
开关时间：ton=70ns，toff=30ns
功耗：10W
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 高耐压能力，可承受高达650V的漏源电压，适合高压环境使用。
2. 具备低导通电阻特性，在4A电流条件下提供稳定的性能表现。
3. 快速开关速度，有助于减少开关损耗并提高效率。
4. 极低的输入电容和输出电容，减少了动态功耗。
5. 符合RoHS标准，环保且无铅设计。
6. 可靠性高，能够在极端温度范围内保持稳定运行。
1. 开关电源（SMPS）设计，包括离线式AC-DC转换器。
2. 工业级电机控制和驱动电路。
3. 各类DC-DC转换器模块。
4. 电池充电管理系统。
5. PFC（功率因数校正）电路。
6. 续流二极管替代方案。
7. 同步整流及负载开关应用。
S19226PBICTB,S19228PBICB
