2SK1082 时间：2025/7/24 19:57:24 阅读：4

2SK1082是一款由日本东芝（Toshiba）公司生产的N沟道MOS场效应晶体管（MOSFET），主要用于高频开关电源、DC-DC转换器以及功率放大器等应用领域。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的高频特性，适用于要求高效能和紧凑设计的电子设备。2SK1082通常采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适用于中等功率水平的应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：900V
　　最大漏极电流（ID）：9A
　　最大导通电阻（RDS(on)）：0.65Ω（典型值）
　　最大工作频率：150kHz
　　栅极电压范围：±30V
　　功耗（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

2SK1082具有多个显著的技术特性，使其适用于多种功率电子应用。首先，其高漏极电压额定值（900V）使其能够承受较高的电压应力，适用于高压电源转换系统。其次，该MOSFET的导通电阻较低（典型值为0.65Ω），有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。此外，2SK1082的漏极电流能力为9A，能够支持中高功率应用的需求。在高频特性方面，2SK1082可在高达150kHz的频率下工作，适用于开关电源（SMPS）等高频应用。该器件的栅极电压范围较宽（±30V），提供了较大的驱动灵活性。此外，TO-220封装确保了良好的散热性能，使得该器件在较高功率条件下仍能保持稳定运行。2SK1082还具备良好的热稳定性和抗过载能力，适合长时间连续工作的工业级应用。

应用

2SK1082广泛应用于多种功率电子设备中，主要包括：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电机驱动器、LED照明驱动电路、功率放大器、逆变器以及工业控制设备。在开关电源设计中，2SK1082常用于主开关管或同步整流器，以提高系统的效率和稳定性。由于其高耐压和低导通电阻的特性，该器件在LED驱动电源中也常被采用，以实现高效能的恒流控制。此外，在电机控制和驱动电路中，2SK1082可用于实现高速开关操作，从而提高响应速度和能量转换效率。由于其良好的散热性能和可靠性，2SK1082也常用于工业自动化设备和嵌入式控制系统中。